【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子器件，具体而言，涉及一种单自旋负微分电阻装置及其制备方法。
技术介绍
1、电荷负微分电阻效应在传统半导体中发挥着重要作用，是生成高频交流电压和电流的关键器件性质之一。在这一过程中，两种自旋的电子共同展现出负微分电阻特性。通常情况下，电荷负微分电阻效应涉及两种自旋电子，它们均展现出相同的负微分电阻。然而，实现单一自旋电子的负微分电阻效应则更为复杂，因为只有其中一种自旋电子的电流-电压曲线显示负微分电阻现象，而另一种自旋电子的电流随电压增加单调上升。目前，尚未有成熟技术能够直接实现单自旋电子的负微分电阻效应。
2、自石墨烯作为第一种二维材料被发现以来，新型二维材料不断涌现，推动了二维材料和器件的研究热潮。石墨烯以其优异的性质在电子器件领域得到广泛应用，有望在某些方面取代以硅为代表的三维半导体材料。特别地，利用石墨烯锯齿型纳米带的半导体性质和边缘磁性，可以制作出自旋量子器件。
3、为了实现对现有电子器件的替代，首先需要设计并开发出能够完成现有基本功能的石墨烯器件。因此，当前的一个重要研究方向是设计具...
【技术保护点】
1.一种单自旋负微分电阻装置，其特征在于，包括石墨烯纳米带、左电极、右电极和绝缘层衬底；所述石墨烯纳米带、左电极和右电极均设置在所述绝缘层衬底上方，且所述左电极和右电极分别连接于所述石墨烯纳米带的两侧；
2.根据权利要求1所述的单自旋负微分电阻装置，其特征在于，所述聚苯乙烯改性氧化铟锡复合材料的制备方法包括：
3.根据权利要求2所述的单自旋负微分电阻装置，其特征在于，在共混过程中，搅拌速度为500-1500转/分钟，搅拌时间为1-3小时；
4.根据权利要求2所述的单自旋负微分电阻装置，其特征在于，所述界面剂为氧化铝纳米颗粒；
...【技术特征摘要】
1.一种单自旋负微分电阻装置，其特征在于，包括石墨烯纳米带、左电极、右电极和绝缘层衬底；所述石墨烯纳米带、左电极和右电极均设置在所述绝缘层衬底上方，且所述左电极和右电极分别连接于所述石墨烯纳米带的两侧；
2.根据权利要求1所述的单自旋负微分电阻装置，其特征在于，所述聚苯乙烯改性氧化铟锡复合材料的制备方法包括：
3.根据权利要求2所述的单自旋负微分电阻装置，其特征在于，在共混过程中，搅拌速度为500-1500转/分钟，搅拌时间为1-3小时；
4.根据权利要求2所述的单自旋负微分电阻装置，其特征在于，所述界面剂为氧化铝纳米颗粒；
5.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：王雪峰，陈竞哲，谢稳泽，柳傲蕾，刘喻舟，
申请(专利权)人：苏州复数智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。