半导体装置制造方法及图纸

两面散热构造的半导体装置(20)具备半导体元件(40)和基板(50、60)。与半导体元件(40)的漏极电极(40D)连接的基板(50)在表面金属体(52)的表面具有粗糙化部(527)。与半导体元件(40)的源极电极(40S)连接的基板(60)在表面金属体(62)的表面具有粗糙化部(627)及非粗糙化部(628)。非粗糙化部(628)在平面视图中设在至少与焊盘(40P)重叠的部分。封固体(30)密接于粗糙化部(527、627)，不密接于非粗糙化部(628)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及半导体装置。

技术介绍

1、专利文献1公开了两面散热构造的半导体装置。现有技术文献的记载内容作为本说明书中的技术要素的说明通过参照而被引用。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：美国专利第10453771号说明书

技术实现思路

1、在专利文献1中，夹着半导体芯片而配置有一对dcb基板。dcb是direct copperbonding(直接铜键合)的简称。dcb基板中的铜层的表面被粗糙化。并且，封固体密接于被粗糙化了的部分。由此，能够抑制封固体的剥离。

2、但是，由于封固体与铜层密接，所以具有在变形的铜层处封固体被拉伸，在键合线中作用于与半导体芯片的焊盘的接合部的应力增加的问题。应力的增加例如引起裂纹、断裂。基于上述观点或未提及的其他观点，对于半导体装置要求进一步的改善。

3、本公开的目的之一在于，提供能够降低键合线中作用于与焊盘的接合部的应力的半导体装置。

4、这里公开的半导体装置，具备：半导体元件，具有设于一面本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，其特征在于，

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉川弘起，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：