二氧化硅玻璃基板制造技术

本发明专利技术的一个实施方式所涉及的二氧化硅玻璃基板具有彼此相反的第1主面和第2主面，密度为2.0g/cm<supgt;3</supgt;以下，含有多个气泡，露出于上述第1主面的由上述气泡形成的第1凹部的平均直径为30μm以下，上述第1主面中的上述第1凹部的个数为200个/mm<supgt;2</supgt;以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种二氧化硅玻璃基板。

技术介绍

1、在高频器件中，需要用于制作电路基板的基板，作为这样的基板的材料的一个例子，已知有二氧化硅玻璃(例如，专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本国特开2017－228846号公报

技术实现思路

1、通常，如果信号频率高频化，则在电路基板中，信号的传输损耗容易增大。与此相对，用二氧化硅玻璃制成的基板(以下，也称为“二氧化硅玻璃基板”)制作电路基板的情况下，通过降低二氧化硅玻璃基板的密度，降低相对介电常数，能够抑制信号的传输损耗增大。

2、然而，难以得到具有低密度且可适合用作电路基板的二氧化硅玻璃基板。

3、本专利技术的目的在于得到一种具有低密度且可适合用作电路基板的二氧化硅玻璃基板。

4、本专利技术的一个实施方式的二氧化硅玻璃基板具有彼此相反的第1主面和第2主面，密度为2.0g/cm3以下，含有多个气泡，露出于上述第1主面的由上述气泡形成的第1凹部的平均直径为30μ本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种二氧化硅玻璃基板，具有彼此相反的第1主面和第2主面，

2.根据权利要求1所述的二氧化硅玻璃基板，其中，所述第1凹部的个数为100个/mm2以下。

3.根据权利要求1所述的二氧化硅玻璃基板，其中，将距所述第1主面的深度为4.93μm以下的区域称为第1区域，将距所述第1主面的深度为19.7μm～200μm的区域称为第2区域，对将所述二氧化硅玻璃基板沿其厚度方向切断所得到的截面利用扫描式显微镜SEM进行观察，在由此得到的截面SEM图像中，

4.一种二氧化硅玻璃基板，具有彼此相反的第1主面和第2主面，

5.根据权利要求4所述的二氧化硅玻璃基...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种二氧化硅玻璃基板，具有彼此相反的第1主面和第2主面，

2.根据权利要求1所述的二氧化硅玻璃基板，其中，所述第1凹部的个数为100个/mm2以下。

3.根据权利要求1所述的二氧化硅玻璃基板，其中，将距所述第1主面的深度为4.93μm以下的区域称为第1区域，将距所述第1主面的深度为19.7μm～200μm的区域称为第2区域，对将所述二氧化硅玻璃基板沿其厚度方向切断所得到的截面利用扫描式显微镜sem进行观察，在由此得到的截面sem图像中，

4.一种二氧化硅玻璃基板，具有彼此相反的第1主面和第2主面，

5.根据权利要求4所述的二氧化硅玻璃基板，其中，所述第1凹部和所述第2凹部的个数分别为100个/mm2以下。

6.根据权利要求4所述的二氧化硅玻璃基板，其中，将距所述第1...

【专利技术属性】
技术研发人员：菅健斗，松本英俊，宫谷克明，
申请(专利权)人：AGC株式会社，
类型：发明
国别省市：