【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及fpga中的mram，尤其涉及一种mram型fpga的配置存储器内容清除方法及电路。
技术介绍
1、现场可编辑门阵列（field programmable gate array，简称fpga）属于专用集成电路中的一种半定制电路。fpga允许用户根据实际需求通过配置存储器定义内部逻辑功能，从而实现高度定制化的硬件解决方案。
2、mram，全称磁随机存取存储器（magnetoresistive random-access memory），是一种非易失性存储技术。它利用磁性材料的特性来存储数据，具体来说，是通过改变存储单元中的磁化方向来表示二进制信息（0和1）。mram技术结合了随机存取和非易失性两种特性，既能够像ram（随机存取存储器）那样快速读写，又能够像硬盘或闪存那样保持数据不丢失，即使在断电后也能够保留信息。
3、mram型fpga是使用mram技术来实现configuration memory（配置存储器）的功能，由于mram具备非易失功能，其在器件掉电后可以继续存储bitstream数据。因为...
【技术保护点】
1.一种MRAM型FPGA的配置存储器内容清除方法，所述配置存储器为MRAM，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的MRAM型FPGA的配置存储器内容清除方法，其特征在于，所述判断所述实时数据信号是否为预设的自毁触发命令，包括：
3.如权利要求1所述的MRAM型FPGA的配置存储器内容清除方法，其特征在于，所述MTJ单元的结构为三明治结构，所述三明治结构为自由层-势垒层-固定层。
4.如权利要求3所述的MRAM型FPGA的配置存储器内容清除方法，其特征在于，所述MTJ单元的电阻状态包括高阻态及低阻态，其中，MTJ单元处于...
【技术特征摘要】
1.一种mram型fpga的配置存储器内容清除方法，所述配置存储器为mram，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的mram型fpga的配置存储器内容清除方法，其特征在于，所述判断所述实时数据信号是否为预设的自毁触发命令，包括：
3.如权利要求1所述的mram型fpga的配置存储器内容清除方法，其特征在于，所述mtj单元的结构为三明治结构，所述三明治结构为自由层-势垒层-固定层。
4.如权利要求3所述的mram型fpga的配置存储器内容清除方法，其特征在于，所述mtj单元的电阻状态包括高阻态及低阻态，其中，mtj单元处于低阻态时，自由层与固定层的金属磁化方向相同，mtj单元处于高阻态时，自由层与固定层的金属磁化方向相反。
...【专利技术属性】
技术研发人员：马荣毅，韩小炜，
申请(专利权)人：中科芯磁科技珠海有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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