一种真空压力浸渍下超导磁体失超探测线保护方法技术

本发明专利技术公开了一种真空压力浸渍下超导磁体失超探测线保护方法，属于超导磁体失超探测线保护领域。所述方法包括：在超导磁体铠甲或氦管位置的失超探测线退包绕穿出磁体绝缘层时采用热缩套管对失超探测线进行包裹，以磁体绝缘层最外侧为分界，磁体绝缘层内外各包括相同长度的热缩套管；将在磁体绝缘层外的失超探测线末段盘成卷状并用脱模布包裹后放入盒体中，在所述盒体中倒入硅胶进行固化；将失超探测线从穿出磁体绝缘层处到盒体处之间的失超探测线过渡段，放在两块自熔带中间进行压紧密封，在自熔带表面涂覆硅胶层。该方法用于指导超导磁体真空压力浸渍下失超探测线绝缘免受伤害，为后期磁体帕邢测试及安全运行提供保障。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于超导磁体失超探测线保护方法领域，尤其涉及一种真空压力浸渍下超导磁体失超探测线保护方法。

技术介绍

1、中心螺管模型线圈（csmc）、环向场（tf）磁体都是聚变堆主机关键系统综合研究设施（craft）超导磁体研究系统的重要子单元。失超探测线是超导磁体安全运行的生命线，失超探测线需要长期运行在超低温、高真空、强辐照电磁环境中，一旦真空破坏，还要杜绝帕邢放电事故的发生，因此对失超探测线高压线绝缘要求非常高，不能有任何损伤；为了保证磁体安全，磁体绝缘要真空压力浸渍（vpi）完成，失超探测线要在vpi前完成焊接及穿出，vpi整个过程中需要对失超探测线进行保护，vpi后去除多余树脂过程中要防止失超探测线高压线芯线及绝缘遭到破坏，因此，如何在真空压力浸渍下实现超导磁体失超探测线的保护显得至关重要。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种真空压力浸渍下超导磁体失超探测线保护方法，该方法有效防止了超导磁体失超探测线穿出磁体绝缘部分在真空压力浸渍过程中与树脂的直接接触，避免了固化后变脆的树脂在后本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种真空压力浸渍下超导磁体失超探测线保护方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的一种真空压力浸渍下超导磁体失超探测线保护方法，其特征在于，所述失超探测线是外径为2.8mm的高压线，所述高压线采用多股镀银铜线以一定的螺距绞合成直径为1.0mm的芯线，芯线绝缘层为聚酰亚胺挤出护套，所述失超探测线绝缘耐辐照2000Mrad，服役在4K~300K温区。

3.根据权利要求2所述的一种真空压力浸渍下超导磁体失超探测线保护方法，其特征在于，所述热缩套管为直径3.0mm的聚烯烃套管，收缩率在50%~70%之间，耐高温300℃，热缩套管长度N为400mm，将套...

【技术特征摘要】

1.一种真空压力浸渍下超导磁体失超探测线保护方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的一种真空压力浸渍下超导磁体失超探测线保护方法，其特征在于，所述失超探测线是外径为2.8mm的高压线，所述高压线采用多股镀银铜线以一定的螺距绞合成直径为1.0mm的芯线，芯线绝缘层为聚酰亚胺挤出护套，所述失超探测线绝缘耐辐照2000mrad，服役在4k~300k温区。

3.根据权利要求2所述的一种真空压力浸渍下超导磁体失超探测线保护方法，其特征在于，所述热缩套管为直径3.0mm的聚烯烃套管，收缩率在50%~70%之间，耐高温300℃，热缩套管长度n为400mm，将套有200mm热缩套管的失超探测线留在磁体绝缘层里面，余下套有200mm热缩套管的失超探测线留在磁体绝缘层外面。

4.根据权利要求3所述的一种真空压力浸渍下超导磁体失超探测线保护方法，其特征在于，所述退包绕为失超探测线穿出磁体绝缘层工艺，磁体绝缘层为玻璃丝带和聚酰亚胺薄膜带组成的复合带在超导磁体铠甲或氦管上多次半叠包后在真空压力浸渍下注入树...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑龙贵，胡燕兰，潘超，肖业政，倪其才，王腾，严庆，刘怀超，张继林，卢辉，龚先祖，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：