一种高效制备碳纳米管阵列薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及一种高效制备碳纳米管阵列薄膜的方法，属于碳纳米管制备技术领域，该方法包括：在容器中注入制备好的下层液，并在上层液的液面上方注入制备好的碳纳米管溶液，在容器中形成双液相界面，其中，碳纳米管溶液的密度低于下层液的密度，下层液采用与碳纳米管溶液不互溶的溶剂；将基底夹在提拉机上，竖直浸入至双液相界面下方，并通过提拉机对基底进行提拉，在基底上形成碳纳米管阵列薄膜。本申请提供的方法，在对基底进行提拉过程中，随着基底位置向上移动，双液层界面在基底上的位置向下移动，碳纳米管溶液中的碳纳米管不断聚集在双液层界面，可充分利用碳纳米管溶液,使得碳纳米管溶液的使用量相比现有技术缩减5‑20倍，极大降低了成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及碳纳米管制备，尤其涉及一种高效制备碳纳米管阵列薄膜的方法。

技术介绍

1、现有技术中主要通过旋涂法、喷涂法、直接生长法、印刷法以及提拉法等进行制备碳纳米管阵列薄膜，其中，采用旋涂法制备碳纳米管阵列薄膜时，因为旋涂过程中会受到离心力的影响，制备的碳纳米管阵列在基底上的分布可能不够均匀，且旋涂法可能需要较高的转速以获得较好的涂层效果，这可能会增加设备成本和操作难度；采用喷涂法制备碳纳米管阵列薄膜时，存在喷涂过程中碳纳米管的损失和浪费，以及喷涂后碳纳米管在基底上的附着力小和分布不均匀得问题；采用直接生长法制备碳纳米管阵列薄膜时，制备过程中需要高温和催化剂，这会增加制备成本和操作难度，且直接生长法制备的碳纳米管阵列的形貌和性能可能会受到基底材料、催化剂种类和生长条件等因素的影响，使得制备的碳纳米管不够均匀；采用印刷法制备碳纳米管阵列薄膜时，虽然制备的薄膜均一，可以实现大面积薄膜的制备，但是印刷法制备碳纳米管阵列的过程需要多次印刷和后期处理，会导致碳纳米管溶液的消耗增加；现有技术中采用提拉法制备碳纳米管阵列薄膜时，将晶圆浸入碳纳米管溶液中进行提拉，从而本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高效制备碳纳米管阵列薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的高效制备碳纳米管阵列薄膜的方法，其特征在于，碳纳米管溶液(3)通过将碳纳米管溶解在一种或多种芳烃类溶剂中形成。

3.根据权利要求2所述的高效制备碳纳米管阵列薄膜的方法，其特征在于，采用的芳烃类溶剂为甲苯溶剂、二甲苯溶剂或邻氯甲苯溶剂。

4.根据权利要求1所述的高效制备碳纳米管阵列薄膜的方法，其特征在于，下层液(2)采用多元醇类溶剂。

5.根据权利要求4所述的高效制备碳纳米管阵列薄膜的方法，其特征在于，采用的多元醇类溶剂包括乙二醇溶剂和丙三醇溶剂。...

【技术特征摘要】

1.一种高效制备碳纳米管阵列薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的高效制备碳纳米管阵列薄膜的方法，其特征在于，碳纳米管溶液(3)通过将碳纳米管溶解在一种或多种芳烃类溶剂中形成。

3.根据权利要求2所述的高效制备碳纳米管阵列薄膜的方法，其特征在于，采用的芳烃类溶剂为甲苯溶剂、二甲苯溶剂或邻氯甲苯溶剂。

4.根据权利要求1所述的高效制备碳纳米管阵列薄膜的方法，其特征在于，下层液(2)采用多元醇类溶剂。

5.根据权利要求4所述的高效制备碳纳米管阵列薄膜的方法，其特征在于，采用的多元醇类溶剂包括乙二醇溶剂和丙三醇溶剂。

6.根据权利要求1所述的高效制备碳纳米管阵列薄膜的方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩杰，
申请(专利权)人：苏州烯晶半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：