一种复合电介质层和多层陶瓷电容器制造技术

本发明专利技术公开了一种复合电介质层和多层陶瓷电容器，所述复合电介质层包括电介质A区域和电介质B区域；所述电介质B区域位于两个电介质A区域之间；所述电介质A区域和电介质B区域中均含有主成分和副成分，所述主成分包括ABO3型钙钛矿材料；所述副成分包括稀土金属化合物、缺陷补偿添加剂、助烧剂；所述电介质A区域中的副成分还包括晶粒抑制剂；所述电介质B区域的副成分中还含有或不含有晶粒抑制剂。本发明专利技术复合电介质层中电介质A区域中的副成分含量高，晶粒粒径小，可以提高复合电介质层的可靠性；电介质B区域中的副成分的含量低，晶粒粒径较大，可以提高复合电介质层的介电常数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于陶瓷电子元件领域，具体涉及一种复合电介质层和多层陶瓷电容器。

技术介绍

1、多层陶瓷电容器(mlcc)作为陶瓷电子元件的代表之一，由于其可靠性高、成本低廉，被广泛应用于各类电子设备中，尤其对于轻薄且小型类的电子设备而言，多层陶瓷电容器需要朝向更小型化、高容量、高性能、薄层化的方向发展以满足日益发展进步的使用要求。

2、目前多层陶瓷电容器广泛使用钛酸钡系化合物作为陶瓷介电材料，如使用batio3材料(简称bt)能获得具有高介电常数的电介质层。但随着多层陶瓷电容器向小型化、高容量、高性能、薄层化的方向发展，对介质层材料的要求越来越高。一方面，高介电常数需要介质层材料中bt晶粒较大，来获得更强的铁电极化从而增强介电响应；另一方面，高可靠性又要求介质层材料中bt晶粒较小，以在有限厚度的介质层中产生尽可能多的晶界以阻挡载流子迁移。高介电常数和高可靠性的要求之间在物理上存在矛盾，因此，现有的电介质层均很难同时满足高介电常数和高可靠性的需求。

技术实现思路

1、为了克服上述现有技术存在的至少一个技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种复合电介质层，其特征在于：包括电介质A区域和电介质B区域；所述电介质B区域位于两个电介质A区域之间；

2.根据权利要求1所述的复合电介质层，其特征在于：所述电介质B区域中晶粒的平均粒径≤700nm。

3.根据权利要求1所述的复合电介质层，其特征在于：所述晶粒抑制剂选自镁的化合物、铌的化合物中的至少一种；

4.根据权利要求1所述的复合电介质层，其特征在于：所述ABO3型钙钛矿材料中，A包括Ba，B包括Ti。

5.根据权利要求4所述的复合电介质层，其特征在于：所述ABO3型钙钛矿材料中，A还包括Ca、Sr中的至少一种；

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【技术特征摘要】

1.一种复合电介质层，其特征在于：包括电介质a区域和电介质b区域；所述电介质b区域位于两个电介质a区域之间；

2.根据权利要求1所述的复合电介质层，其特征在于：所述电介质b区域中晶粒的平均粒径≤700nm。

3.根据权利要求1所述的复合电介质层，其特征在于：所述晶粒抑制剂选自镁的化合物、铌的化合物中的至少一种；

4.根据权利要求1所述的复合电介质层，其特征在于：所述abo3型钙钛矿材料中，a包括ba，b包括ti。

5.根据权利要求4所述的复合电介质层，其特征在于：所述abo3型钙钛矿材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘杰鹏，
申请(专利权)人：深圳三环电子有限公司，
类型：发明
国别省市：