【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有源混频器,具体涉及一种基于双重噪声抵消的有源混频器。
技术介绍
1、近年来,随着无线通讯系统的快速发展,对于无线射频接收前端电路的需求越来越多。典型的无线射频接收前端电路包含低噪声放大器、混频器及中频放大器等关键电路,低噪声放大器的作用是将接收到的微弱信号进行放大并同时进入较少的噪声,混频器的作用实现变频功能,可以将接收到的高频信号转化为中频信号,这种典型架构可以较好地处理各种通信协议。
2、在一些低功耗的系统中,为了降低系统功耗,需要将低噪声放大器移除掉,而混频器的噪声性能较差,移除低噪声放大器会导致无线射频接收前端电路的噪声系数偏大。因此,亟需提出一种可以降低电路噪声的混频器,从而解决无低噪声放大器的无线射频接收前端电路噪声系数偏大的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是解决现有混频器噪声系数偏大的技术问题,而提供一种基于双重噪声抵消的有源混频器。
2、为实现上述目的,本专利技术采用的技术方案为:
3、一种基于双重噪声抵消的有源
...【技术保护点】
1.一种基于双重噪声抵消的有源混频器,其特征在于:包括结构相同且相互连接的正半电路和负半电路;
2.根据权利要求1所述的一种基于双重噪声抵消的有源混频器,其特征在于:所述第一开关级电路包括晶体管M9和晶体管M10,第二开关级电路包括晶体管M11和晶体管M12;
3.根据权利要求2所述的一种基于双重噪声抵消的有源混频器,其特征在于:所述第一负载级电路包括负载电阻R3,第二负载级电路包括负载电阻R4;
4.根据权利要求3所述的一种基于双重噪声抵消的有源混频器,其特征在于:所述负载电阻R5、共源晶体管M1和放大晶体管M2满足以下公式:
...【技术特征摘要】
1.一种基于双重噪声抵消的有源混频器,其特征在于:包括结构相同且相互连接的正半电路和负半电路;
2.根据权利要求1所述的一种基于双重噪声抵消的有源混频器,其特征在于:所述第一开关级电路包括晶体管m9和晶体管m10,第二开关级电路包括晶体管m11和晶体管m12;
3.根据权利要求2所述的一种基于双重噪声抵消的有源混频器,其特征在于:所述第一负载级电路包括负载电阻r3,第二负载级电路包括负载电阻r4;
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