发光装置及包括发光装置的电子设备和电子装置制造方法及图纸

提供了发光装置，所述发光装置包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极以及布置在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层。所述中间层进一步包括布置在所述发射层与所述第二电极之间的第一层，以及布置在所述第一层与所述发射层之间的第二层。所述第一层包含第一含金属材料，所述第二层包含第二含金属材料和不含金属的材料，并且所述第一层的功函数(W/F)与所述第二层的功函数(W/F)之间的差是约0.05eV至约0.2eV。还提供了包括所述发光装置的电子设备和电子装置。

【技术实现步骤摘要】

实施方案涉及发光装置以及包括所述发光装置的电子设备和电子装置。

技术介绍

1、在发光装置中，自发射装置具有广视角、高对比度、短响应时间，和在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异的特性。

2、在发光装置中，第一电极布置在衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次布置在第一电极上。由第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。激子可以从激发态跃迁至基态，从而产生光。

技术实现思路

1、实施方案包括发光装置以及包括所述发光装置的电子设备和电子装置。

2、其它方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的呈现的实施方案的实践而获悉。

3、根据实施方案，发光装置包括

4、第一电极，

5、面对所述第一电极的第二电极，以及

6、布置在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，

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【技术保护点】

1.发光装置，包括：

2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一层的功函数的绝对值是2.5eV至2.9eV。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二层的功函数的绝对值是2.4eV至3.0eV。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一层的厚度与所述第二层的厚度的比率是1:2至1:25。

5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一层的厚度是至

6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二层的厚度是至

7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述中间层进一步包括布置在所述发射层与所述第二层之间的第三层，以及...

【技术特征摘要】

1.发光装置，包括：

2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一层的功函数的绝对值是2.5ev至2.9ev。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二层的功函数的绝对值是2.4ev至3.0ev。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一层的厚度与所述第二层的厚度的比率是1:2至1:25。

5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一层的厚度是至

6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二层的厚度是至

7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述中间层进一步包括布置在所述发射层与所述第二层之间的第三层，以及

8.如权利要求7所述的发光装置，其中

9.如权利要求8所述的发光装置，其中

10.如权利要求1所述的发光装置，其中

11.如权利要求10所述的发光装置，其中从所述m个发光单元中的一个发射的光的最大发射波长和从所述m个发光单元中的另一个发射的光的最大发射波长彼此不同。

12.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一含金属材料和所述第二含金属材料各自独立地包括镱、锂、铜、银、金、铝、镁或其组合。

13.如权利要求1所述的发光装置，其中所述不含金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔晶浩，文智永，姜苾求，金东赞，李学忠，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：