一种图像传感器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种图像传感器及其制作方法，属于半导体技术领域。所述图像传感器至少包括：衬底，包括相对设置的第一表面和第二表面；光电二极管、电荷存储区和浮动扩散区由第一表面向衬底内延伸，并间隔设置；掺杂区，由第一表面向衬底内延伸，掺杂区与光电二极管、电荷存储区和浮动扩散区间隔设置；全局曝光传输栅极，设置在光电二极管和电荷存储区之间，并覆盖部分电荷存储区；传输栅极，设置在电荷存储区和浮动扩散区之间；遮光结构，设置在衬底内，且覆盖电荷存储区，遮光结构与掺杂区电连接。通过本发明专利技术提供的一种图像传感器及其制作方法，极大改善了电荷域全局图像传感器的寄生光响应，并避免了电子传输不充分导致的残影。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，特别涉及一种图像传感器及其制作方法。

技术介绍

1、cmos图像传感器(complementary metal oxide semiconductor image sensor，cis)具有集成度高、供电的电压低和技术门槛低等优势，被广泛应用在消费电子，自动驾驶，生物识别或安防等领域。cmos图像传感器可采用两种曝光方式，即全局快门(globalshutter，gs)模式与卷帘快门(rolling shutter，rs)模式。全局快门模式是整幅图像的每一行都在同一时间曝光，然后将电荷信号同时传输并存储在像素单元的存储节点，最后将存储节点的信号逐行读出。由于全局曝光模式整幅图像所有行在同一时间进行曝光，所以不会造成拖影现象。

2、全局快门像素依据存储节点的类型不同可以分为电荷域(charge domain)和电压域(voltage domain)两种类型。和电压域像素相比，电荷域像素具有可扩展性、低读取噪声和低暗电流等优点，但电荷域全局曝光图像传感器一个主要的技术难题就是如何避免存储节对入射光信号产生响应，造成寄生光响应。前本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种图像传感器，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述遮光结构与所述电荷存储区之间设置有介电层，部分所述遮光结构贯穿所述介电层延伸至所述掺杂区的表面上。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光电二极管和所述电荷存储区之间设置有空气间隙，所述遮光结构覆盖所述空气间隙。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述电荷存储区在所述衬底内的深度为所述光电二极管在所述衬底内的深度的5%~30%。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述遮光结构的厚度为100nm~300n...

【技术特征摘要】

1.一种图像传感器，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述遮光结构与所述电荷存储区之间设置有介电层，部分所述遮光结构贯穿所述介电层延伸至所述掺杂区的表面上。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光电二极管和所述电荷存储区之间设置有空气间隙，所述遮光结构覆盖所述空气间隙。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述电荷存储区在所述衬底内的深度为所述光电二极管在所述衬底内的深度的5%~30%。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述遮光结构的厚度为100nm~300nm，所述遮光结构的材料包括钨、铝、铜、钴、钛、氮化钛或镍的至少一种。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述全局曝光传输栅极包括平...

【专利技术属性】
技术研发人员：李岩，范春晖，赵庆贺，夏小峰，奚鹏程，
申请(专利权)人：合肥海图微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：