【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路，尤其涉及一种集成电路老化效应的仿真方法及装置。
技术介绍
1、当前集成电路的可靠性成为芯片设计指标中的重要成分，在先进工艺制程下，器件的老化效应变得越来越严重。目前有很多商业软件支持器件的老化效应仿真，但是这些仿真器都需要较大的计算资源、存储资源和时间消耗。
2、通常情况下，大多数老化效应的仿真与评估工作需要依赖完整的电路设计和功能仿真来实现，而电路功能的仿真需要消耗大量的时间。其次，仿真流程中如果发生器件可靠性不达标，则需要对电路设计进行大幅度修改，并且重新进行电路的功能仿真，进一步导致仿真工作周期的延长。最后，仿真器需要大量的存储资源来对晶体管器件的老化状态数据进行存储。
3、因此，对于工艺早期寿命评估或特征化模型库而言，使用这样的老化仿真器将极大的降低开发效率。
4、综上所述，如何优化集成电路老化效应的仿真流程，实现高效率的老化效应仿真，加速整体电路的设计和可靠性指标达成，成为本领域技术人员研究的方向。
技术实现思路
1、本申请...
【技术保护点】
1.一种集成电路老化效应的仿真方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述节点波形的描述参数，包括直流老化波形描述参数和交流老化波形描述参数。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述老化模型包括静态老化模型和动态老化模型。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述直流老化波形描述参数包括栅极应力电压，漏极应力电压和环境温度；
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述动态老化模型包括理想简化模型，波形约束模型，负偏压温度不稳定模型和正偏压温度不稳定模型。
6.如权利要...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路老化效应的仿真方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述节点波形的描述参数，包括直流老化波形描述参数和交流老化波形描述参数。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述老化模型包括静态老化模型和动态老化模型。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述直流老化波形描述参数包括栅极应力电压，漏极应力电压和环境温度；
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述动态老化模型包括理想简化模型，波形约束模型，负偏压温度不稳定模型和正偏压温度不稳定模型。
6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述交流老化波形描述参数包括上升时间，高电平保持时间，下降时间，低电平保持时间，器件波形传输延时和过冲电压；
7.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：葛浩，卫建林，杨晓倩，姜钰，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。