半导体衬底层的形成方法和异质结电池的制备方法技术

技术编号:42823815 阅读:16 留言:0更新日期:2024-09-24 21:00
本发明专利技术涉及太阳能电池的制备技术领域,具体提供一种半导体衬底层的形成方法和异质结电池的制备方法。半导体衬底层的形成方法,提供半导体衬底层;在所述半导体衬底层的至少一侧表面进行制绒处理,以使所述半导体衬底层的至少一侧表面呈绒面;所述绒面包括若干微结构单元;对所述半导体衬底层呈绒面的一侧表面对所述半导体衬底层呈绒面的一侧表面通过酸性处理液配合氧化手段或电化学手段进行腐蚀处理,在所述微结构单元表面形成若干孔洞结构。本发明专利技术提供的半导体衬底层的形成方法,在部分所述绒面形成若干孔洞结构进一步降低半导体衬底层表面的反射率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池的制备,具体涉及一种半导体衬底层的形成方法和异质结电池的制备方法


技术介绍

1、在提升异质结电池效率方面,如何获得良好的衬底层绒面结构,以提升异质结电池对入射光的吸收,以及如何与后续膜层工艺匹配,避免因为突出的构成绒面的微结构单元较为尖锐而造成划伤等问题,一直备受关注。目前异质结太阳能电池制绒工艺需要对绒面进行圆滑处理利于后续钝化提升,但是圆滑处理虽然可以使得构成绒面的微结构单元尖端不再尖锐变得圆滑,提高后续钝化层沉积的均匀性,提升钝化效果,但同时也会使得微结构单元的表面变得更加光滑平整,粗糙度降低,提升硅片的反射率,最终会减少电池对光的吸收。参见图5所示,圆滑处理后的微结构单元的尖端圆滑,但同时侧壁表面也光滑平整。


技术实现思路

1、因此,为解决对绒面进行圆滑处理会提升硅片反射率减少电池对光的吸收的问题,本专利技术提供一种半导体衬底层的形成方法和异质结电池的制备方法。

2、本专利技术提供一种半导体衬底层的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底层;在所述半导体衬底层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体衬底层的形成方法,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体衬底层的形成方法,其特征在于,对所述半导体衬底层呈绒面的一侧表面通过酸性处理液配合氧化手段或电化学手段进行腐蚀处理的步骤包括:将金属盐溶液、第一氧化剂和氢氟酸混合配置为第一腐蚀溶液;将所述半导体衬底层置于所述第一腐蚀溶液中进行第一反应;

3.根据权利要求2所述的半导体衬底层的形成方法,其特征在于,所述金属盐溶液包括金盐、银盐、铂盐、铜盐、镍盐中的一种或多种的组合;所述第一氧化剂包括双氧水、高锰酸钾、浓硝酸中的一种或多种的组合。

4.根据权利要求1所述的半导体衬底层的形成方法,其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种半导体衬底层的形成方法,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体衬底层的形成方法,其特征在于,对所述半导体衬底层呈绒面的一侧表面通过酸性处理液配合氧化手段或电化学手段进行腐蚀处理的步骤包括:将金属盐溶液、第一氧化剂和氢氟酸混合配置为第一腐蚀溶液;将所述半导体衬底层置于所述第一腐蚀溶液中进行第一反应;

3.根据权利要求2所述的半导体衬底层的形成方法,其特征在于,所述金属盐溶液包括金盐、银盐、铂盐、铜盐、镍盐中的一种或多种的组合;所述第一氧化剂包括双氧水、高锰酸钾、浓硝酸中的一种或多种的组合。

4.根据权利要求1所述的半导体衬底层的形成方法,其特征在于,对所述半导体衬底层呈绒面的一侧表面通过酸性处理液配合氧化手段或电化学手段进行腐蚀处理的步骤包括:在所述半导体衬底层呈绒面的一侧表面形成金属层;形成金属层之后,对所述金属层进行退火处理;对所述金属层进行退火处理之后,将第二氧化剂和氢氟酸混合配置为第二腐蚀溶液,将所述半导体衬底层置于所述第二腐蚀溶液中进行第二反应;

5.根据权利要求4所述的半导体衬底层的形成方法,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:李成彭长涛张良张顾潇
申请(专利权)人:安徽华晟新能源科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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