一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法，其中，通孔型垂直结构LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、绝缘介质结构、欧姆接触层、金属反射结构、透明导电层以及外延叠层；其中，金属反射结构沿背离外延叠层的方向依次包括层叠的金属反射镜和金属保护层；且通过金属保护层、第二型半导体层及部分绝缘介质结构形成封闭式结构将金属反射镜包覆，防止金属反射镜脱落，及金属反射镜的金属材料扩散至芯片的四周，而影响通孔反射结构的反射效果及产品的稳定性，可用来提高芯片的光提取效率及产品的可靠性，进而提升通孔型垂直结构LED芯片的亮度及可靠性，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管，更为具体地说，涉及一种通孔型垂直结构led芯片及其制作方法。

技术介绍

1、现有的发光二极管包括水平类型和垂直类型。垂直类型的发光二极管通过把半导体结构转移到其它的导电性、导热性更佳的基板上，并移除原始外延生长的衬底的工艺获得，半导体结构至少包括依次层叠的第一型半导体层、有源区及第二型半导体层。相较于水平类型，可以有效改善外延生长衬底带来的吸光、电流拥挤或散热性差的技术问题。衬底的转移一般采用键合工艺，键合主要通过金属-金属高温高压键合，即在半导体结构的一侧与导电基板之间形成金属键合层。半导体结构的另一侧作为出光侧，出光侧配置有打线电极以提供电流的注入或流出，半导体结构下方的导电基板提供电流的流出或流入，由此形成电流垂直经过半导体结构的发光二极管。

2、为了提高出光效率，通常会在金属键合层的一侧设计反射结构，如金属反射镜或由金属反射镜结合介质层所形成的全方位反射镜(odr omn i-d i rect iona l ref lector)，将金属键合层一侧的出光反射至出光侧，提高出光效率。然而，金属反射镜与介质层之间的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种通孔型垂直结构LED芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的通孔型垂直结构LED芯片，其特征在于：在所述封闭式结构中，所述绝缘介质结构的内侧壁具有沿背离所述金属反射镜方向延伸的内凹结构，所述绝缘介质结构的内侧壁还具有沿所述金属保护层方向延伸的凸出结构，所述金属反射镜位于所述凸出结构朝向外延叠层的一侧，并嵌入所述内凹结构，所述金属保护层与所述凸出结构接合。

3.根据权利要求2所述的通孔型垂直结构LED芯片，其特征在于：所述绝缘介质结构沿背离所述外延叠层的方向依次包括层叠的第一介质膜层和第二介质膜层，所述第二介质膜层与所述金属保护层的粘附性皆大于所述...

【技术特征摘要】

1.一种通孔型垂直结构led芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的通孔型垂直结构led芯片，其特征在于：在所述封闭式结构中，所述绝缘介质结构的内侧壁具有沿背离所述金属反射镜方向延伸的内凹结构，所述绝缘介质结构的内侧壁还具有沿所述金属保护层方向延伸的凸出结构，所述金属反射镜位于所述凸出结构朝向外延叠层的一侧，并嵌入所述内凹结构，所述金属保护层与所述凸出结构接合。

3.根据权利要求2所述的通孔型垂直结构led芯片，其特征在于：所述绝缘介质结构沿背离所述外延叠层的方向依次包括层叠的第一介质膜层和第二介质膜层，所述第二介质膜层与所述金属保护层的粘附性皆大于所述第一介质膜层的粘附性。

4.根据权利要求3所述的通孔型垂直结构led芯片，其特征在于：所述第一介质膜层设置于所述第二型半导体层的部分表面并延伸至所述凹槽的侧壁，且所述第一介质膜层包括多个第二通孔，各所述第二通孔显露所述第二型半导体层的部分表面。

5.根据权利要求4所述的通孔型垂直结构led芯片，其特征在于：所述第二介质膜层设置于所述第一介质膜层的部分表面，第二介质膜层包括第三通孔，所述第三通孔显露所述第二通孔及部分所述第一介质膜层，所述第三通孔的侧壁包括倾斜侧壁，所述倾斜侧壁的一端与显露的第一介质膜层所夹锐角为所述内凹结构，所述倾斜侧壁的另一端连接所述凸出结构。

6.根据权利要求5所述的通孔型垂直结构led芯片，其特征在于：所述金属反射镜设置于所述第三通孔内，并覆盖所述倾斜侧壁，且填充各所述第二通孔与所述第二型半导体层形成电连接。

7.根据权利要求6所述的通孔型垂直结构led芯片，其特征在于：所述第二介质膜层沿背离所述外延叠层的方向依次包括层叠的第一子...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨克伟，尤翠萍，曲晓东，江土堆，赵斌，罗桂兰，陈凯轩，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：