【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体地，涉及一种电子系统，具有改进的散热能力的球栅阵列(ball grid array，bga)集成电路(integrated circuit，ic)的印刷电路板(printed circuit board，pcb)。
技术介绍
1、为了保证电子产品和通信设备的持续小型化和多功能化，集成电路(ic)需要尺寸小、支持多引脚连接、高速运行并且具有高性能。这将给ic制造商带来开发球栅阵列(bga)集成电路的压力。bga ic通常通过使用在其背面排列成阵列的导电球(凸块)作为外部端子而不是使用引脚框架来连接到安装板。由于bga ic的整个背面都可以用于与电路板的连接，因此可以显著增加输入/输出连接的数量。为了支持更高的功能，引脚数量显著增加。
2、然而，多功能bga ic中输入/输出连接数量的增加可能导致热电问题，例如rf电路中的散热、串扰、信号传播延迟和电磁干扰。这些热电问题可能会影响成品的可靠性和质量。
3、因此，需要一种新颖的电子系统。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种电子系统，以解决上述问题。
2、根据本专利技术的第一方面，公开一种电子系统，包括：
3、基底，具有装置附着区域，其中该基底包括：
4、堆积层结构；
5、垂直互连结构，穿过该堆积层结构并位于该装置附着区域内，其中该垂直互连结构包括至少一个埋孔和至少一个与该埋孔电性连接的盲孔；以及
6、第一通孔，穿过该堆
7、半导体装置，安装在该基底的该装置附着区域上。
8、进一步的，其中该基底进一步包括：
9、第一接地平面，设置在该堆积层结构的顶表面并位于该装置附着区域内；
10、其中该第一通孔与该第一接地平面连接。从而可以将热量传递到第一接地平面，以便更加大面积的散热，以及将热量的分布更加均匀，避免热拥堵，从而进一步提高散热效率。第一通孔可以有一个或多个，以适应不同的散热需求。
11、进一步的，其中该半导体装置通过多个导电结构安装在该基底的该装置附着区域上，
12、其中该基底进一步包括设置在该堆积层结构的顶表面上的第一导电层，其中该第一导电层包括该第一接地平面，该第一接地平面包括至少一个位于该装置附着区域内的接地焊盘，
13、其中该多个导电结构包括至少一个与该接地焊盘接触的接地导电结构，并且其中该接地焊盘设置为与对应于该半导体装置的该导电结构的该垂直互连结构接触。这样可以将用于接地的接地焊盘、接地导电结构、接地的部分垂直互连结构与第一通孔连接起来，从而更加均匀的散热。
14、进一步的，其中该接地焊盘沿着第一方向偏移于该第一通孔，其中该第一方向与该基底的该顶表面大致平行。第一通孔的正上方上可以不设置有焊盘，也不设有导电结构，以便于制造，并且加快散热。
15、进一步的，其中该基底进一步包括：
16、第一阻焊层，设置在该第一导电层上，
17、其中该第一阻焊层具有第一开口，以暴露该第一通孔。第一阻焊层的第一开口可以减少遮挡，让第一通孔的热量更快的散发出去。
18、进一步的，其中该接地焊盘和与该接地焊盘相邻的该第一接地平面的一部分从该第一开口暴露出来，和/或与该第一通孔相邻的该第一接地平面的一部分从该第一开口暴露出来。从而减少遮挡，暴露更多的散热面积，提高散热效率。
19、进一步的，其中与该第一通孔相邻的至少一个接地导电结构由该第一开口暴露。从而减少遮挡，暴露更多的散热面积，提高散热效率。
20、进一步的，其中该基底进一步包括：
21、第二导电层，设置在该堆积层结构的底表面，其中该第二导电层包括与该第一通孔接触的第二接地平面；以及
22、第二阻焊层，设置在该第二导电层上；
23、其中该第二阻焊层具有第二开口，以暴露该第一通孔。从而让热量通过第一通孔传递到基底的另一侧之后，可以更快的散出到基底之外，从而提高散热效率。
24、进一步的，其中
25、该第一导电层包括基底焊盘，该基底焊盘包括该接地焊盘，
26、每个该基底焊盘具有焊盘形状和焊盘面积，以及
27、该第一通孔设置在该基底焊盘之间，该第一通孔具有第一通孔形状和第一通孔面积。
28、进一步的，其中该第一通孔形状与该焊盘形状相同，并且其中该第一通孔面积大于或等于该焊盘面积。从而方便制造，并且提高散热效率和能力。
29、进一步的，其中该第一开口的形状与该第一通孔形状不同。以适应不同的需求，并且满足各式各样的散热要求。
30、进一步的，其中该通孔形状包括一个圆形、椭圆形、十字形、字母x、线形状，或其组合。从而具有不同的设计，满足多种需求。
31、进一步的，其中该堆积层结构进一步包括：第二通孔，穿过该堆积层结构并位于该装置附着区域内，其中该第二通孔具有第二通孔面积和第二通孔形状。以开设不同的通孔，满足散热需求。
32、进一步的，其中该第一阻焊层包括第三开口，以暴露该第二通孔，其中该第一开口的第一形状对应于该第一通孔形状，以及该第三开口的第二形状对应于该第二通孔形状。以开设不同的通孔和开口，满足散热需求。
33、进一步的，其中该第一通孔形状与该焊盘形状不同。以开设不同的通孔和开口，满足散热需求。
34、进一步的，其中该第一开口的面积大于该焊盘面积的两倍。以增加暴露的面积，从而减少遮挡，提高散热。
35、进一步的，其中该第一开口的形状与该第一通孔形状相同。以方便制造和设计。
36、根据本专利技术的第二方面，公开一种电子系统，包括：
37、基底，具有装置附着区域，其中该基底包括：
38、堆积层结构；以及
39、通孔，穿过该堆积层结构并位于该装置附着区域内，其中该第一通孔为直通式通孔；以及
40、半导体装置，安装在该装置附着区域。
41、进一步的，其中该基底进一步包括：
42、第一接地平面，设置在该堆积层结构的顶表面；
43、其中该通孔与该第一接地平面耦接。从而可以将热量传递到第一接地平面，以便更加大面积的散热，以及将热量的分布更加均匀，避免热拥堵，从而进一步提高散热效率。
44、进一步的，其中该基底进一步包括：
45、垂直互连结构，穿过该堆积层结构并位于该装置附着区域内，其中该垂直互连结构包括至少一个埋孔和至少一个与该埋孔电性连接的盲孔，
46、其中该半导体装置通过至少一个接地导电结构安装在该基底的该装置附着区域上，并且其中该至少一个接地导电结构直接设置在该垂直互连结构上方而非该通孔上方。以便于制造，并且加快散热。
47、本专利技术的上述方案可以通过在装置附着区域内设置直通式的第一通孔，从而可本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电子系统，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电子系统，其特征在于，该基底进一步包括：
3.如权利要求2所述的电子系统，其特征在于，该半导体装置通过多个导电结构安装在该基底的该装置附着区域上，
4.如权利要求3所述的电子系统，其特征在于，该接地焊盘沿着第一方向偏移于该第一通孔，其中该第一方向与该基底的该顶表面大致平行。
5.如权利要求3所述的电子系统，其特征在于，该基底进一步包括：
6.如权利要求5所述的电子系统，其特征在于，该接地焊盘和与该接地焊盘相邻的该第一接地平面的一部分从该第一开口暴露出来，和/或与该第一通孔相邻的该第一接地平面的一部分从该第一开口暴露出来。
7.如权利要求5所述的电子系统，其特征在于，与该第一通孔相邻的至少一个接地导电结构由该第一开口暴露。
8.如权利要求5所述的电子系统，其特征在于，该基底进一步包括：
9.如权利要求5所述的电子系统，其特征在于，该第一导电层包括基底焊盘，该基底焊盘包括该接地焊盘，
10.如权利要求9所述的电子系统，
11.如权利要求10所述的电子系统，其特征在于，该第一开口的形状与该第一通孔形状不同。
12.如权利要求9所述的电子系统，其特征在于，该通孔形状包括一个圆形、椭圆形、十字形、字母X、线形状，或其组合。
13.如权利要求5所述的电子系统，其特征在于，该堆积层结构进一步包括：
14.如权利要求12所述的电子系统，其特征在于，该第一阻焊层包括第三开口，以暴露该第二通孔，其中该第一开口的第一形状对应于该第一通孔形状，以及该第三开口的第二形状对应于该第二通孔形状。
15.如权利要求9所述的电子系统，其特征在于，该第一通孔形状与该焊盘形状不同。
16.如权利要求14所述的电子系统，其特征在于，该第一开口的面积大于该焊盘面积的两倍。
17.如权利要求14所述的电子系统，其特征在于，该第一开口的形状与该第一通孔形状相同。
18.一种电子系统，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种电子系统，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电子系统，其特征在于，该基底进一步包括：
3.如权利要求2所述的电子系统，其特征在于，该半导体装置通过多个导电结构安装在该基底的该装置附着区域上，
4.如权利要求3所述的电子系统，其特征在于，该接地焊盘沿着第一方向偏移于该第一通孔，其中该第一方向与该基底的该顶表面大致平行。
5.如权利要求3所述的电子系统，其特征在于，该基底进一步包括：
6.如权利要求5所述的电子系统，其特征在于，该接地焊盘和与该接地焊盘相邻的该第一接地平面的一部分从该第一开口暴露出来，和/或与该第一通孔相邻的该第一接地平面的一部分从该第一开口暴露出来。
7.如权利要求5所述的电子系统，其特征在于，与该第一通孔相邻的至少一个接地导电结构由该第一开口暴露。
8.如权利要求5所述的电子系统，其特征在于，该基底进一步包括：
9.如权利要求5所述的电子系统，其特征在于，该第一导电层包括基底焊盘，该基底焊盘包括该接地焊盘，
10.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：易佐儒，李钟发，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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