【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
1、目前，在先进生产技术的中段制程（meol）节点中，金属接触结构的形成过程如下：
2、如图1所示，首先，提供衬底10，在所述衬底10上形成栅极结构g，所述栅极结构g两侧的衬底10中形成有源极s和漏极，在所述衬底10上形成第一介质层11，所述第一介质层11覆盖所述栅极结构g，在所述第一介质层11中形成有底部凹槽12，所述底部凹槽12暴露出所述栅极结构g、源极s和漏极，在所述底部凹槽12的内壁上依次沉积金属层21和金属阻挡层22，其中，所述第一介质层11包括位于所述衬底10上且位于所述栅极结构外侧的第一部分，依次位于所述第一部分上的第二部分和第三部分，其中，所述第一部分和第三部分的材料均为氧化硅，所述第二部分的材料为氮化硅，所述金属层21以及所述金属阻挡层22的侧壁厚度均较厚；如图2所示，接着，执行退火工艺，所述金属层21和所述衬底10反应并在所述源极s和漏极表面形成金属硅化物层13；如图3所示，接着，通过pvd或cvd工艺在所述底部凹槽12内壁上形成钴...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括衬底以及形成于所述衬底上的第一介质层，所述第一介质层中设置有凹槽，所述凹槽中设置有导电结构，所述导电结构包括阻挡层和金属接触结构，所述阻挡层覆盖所述凹槽的底壁，所述金属接触结构位于所述阻挡层上，且填充所述凹槽，
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底包括基底，所述基底上设置有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底中设置有源区和漏区，所述第一介质层覆盖所述栅极结构以及所述栅极结构外侧的基底；
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽贯通所述顶部介质层、...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括衬底以及形成于所述衬底上的第一介质层，所述第一介质层中设置有凹槽，所述凹槽中设置有导电结构，所述导电结构包括阻挡层和金属接触结构，所述阻挡层覆盖所述凹槽的底壁，所述金属接触结构位于所述阻挡层上，且填充所述凹槽，
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底包括基底，所述基底上设置有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底中设置有源区和漏区，所述第一介质层覆盖所述栅极结构以及所述栅极结构外侧的基底；
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽贯通所述顶部介质层、中间停止层和底部介质层，并暴露出所述源区和漏区的基底，所述第二凹槽贯通所述顶部介质层和中间停止层，并暴露出所述栅极结构的上表面。
4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一凹槽的底壁上形成有金属硅化物膜层，所述第二凹槽的底壁上形成有底部金属膜层；
5.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一阻挡层和第二阻挡层的材料均为氮化钛，所述第一金属接触结构和第二金属接触结构的材料均为钨。
6.一种半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：李其鲁，张浩，高成，
申请(专利权)人：杭州积海半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。