一种基于MOSFET的双重过流保护的高边控制开关制造技术

本发明专利技术为一种基于MOSFET的双重过流保护的高边控制开关，涉及汽车开关技术领域，该高边控制开关用于MOS管的保护，包括MOS管Q8，所述MOS管Q8的栅极受控连接控制单元，所述MOS管Q8的漏级与电池正极之间连接有自恢复保险丝U2，所述MOS管Q8的源级接加热器负载。MOS管漏级出连接的保险丝起到了过流保护的作用，可以用来防止功率管电流过大而烧毁，当电流过大，保险丝U2自动断开，当回复后，保险丝U2可以自行恢复，用来放置突变的较大脉冲信号。MOS管源级的保险丝U1是放置MOS管击穿后形成短路而产生的大电流损坏整个电路系统，当MOS管击穿，大电流会使得保险丝U1熔断，通过自毁保险丝U1的方式来保护电路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及汽车开关，具体为一种基于mosfet的双重过流保护的高边控制开关。

技术介绍

1、在汽车供电系统中，由励磁发电机为汽车中电路系统供电，但是车载发电机存在输出不稳定毛刺电压较多的问题，有时瞬间的脉冲电压较大，容易击穿电路中的开关管，当开关管被击穿后，会导致受控的线路短路，严重时，击穿后短路产生的大电流会损坏汽车中电路系统的控制器，这种情况维修成本很大。

技术实现思路

1、本专利技术提出了一种基于mosfet的双重过流保护的高边控制开关，应用本申请的方案，可以对汽车中的开关管提供保护，保证电流的稳定。

2、本专利技术的技术方案如下：

3、一种基于mosfet的双重过流保护的高边控制开关，该高边控制开关用于mos管的保护，包括mos管q8，所述mos管q8的栅极受控连接控制单元，其特征在于，所述mos管q8的漏级与电池正极之间连接有自恢复保险丝u2，所述mos管q8的源级接加热器负载。

4、作为本方案的进一步优化，所述mos管q8的源级还串联有保险丝u1。

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于MOSFET的双重过流保护的高边控制开关，该高边控制开关用于MOS管的保护，包括MOS管Q8，所述MOS管Q8的栅极受控连接控制单元，其特征在于，所述MOS管Q8的漏级与电池正极之间连接有自恢复保险丝U2，所述MOS管Q8的源级接加热器负载。

2.根据权利要求1所述的一种基于MOSFET的双重过流保护的高边控制开关，其特征在于，所述MOS管Q8的源级还串联有保险丝U1。

3.根据权利要求2所述的一种基于MOSFET的双重过流保护的高边控制开关，其特征在于，所述加热器负载在与所述保险丝U1的连接点还并联有二极管LED1。

【技术特征摘要】

1.一种基于mosfet的双重过流保护的高边控制开关，该高边控制开关用于mos管的保护，包括mos管q8，所述mos管q8的栅极受控连接控制单元，其特征在于，所述mos管q8的漏级与电池正极之间连接有自恢复保险丝u2，所述mos管q8的源级接加热器负载。

2.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆岩，刘坤明，
申请(专利权)人：秦皇岛君实汽车电子有限公司，
类型：新型
国别省市：