【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电二极管，并且具体地涉及在紫外线范围内具有高敏感度的光电二极管。
技术介绍
1、光电二极管广泛用于检测和测量电磁辐射。已知的是，可以通过从光电二极管的电流中减去暗参考器件(对光不敏感的类似光电二极管)的电流来改善光电二极管的输出信号的噪声水平。通过用不透明材料(例如，金属层)覆盖器件的光敏区域，可以使参考器件对入射光不敏感。然而，仍然需要改进光电二极管的敏感度和耐用性。
技术实现思路
1、本专利技术的方面提供了如所附权利要求中阐述的光学传感器和形成光学传感器的方法。
2、下面参考附图描述具体实施例，
【技术保护点】
1.一种光学传感器，被配置为感测UV光谱中的第一波长范围内的光，所述光学传感器包括：
2.根据权利要求1所述的光学传感器，其中，所述吸收层是氮化硅层。
3.根据权利要求1所述的光学传感器，其中，所述吸收层具有在5nm至100nm的范围内的厚度。
4.根据权利要求1所述的光学传感器，还包括钝化层，所述钝化层包括所述第一光电二极管的光敏区域上方的第一开口以及所述第二光电二极管的光敏区域上方的第二开口，其中，所述吸收层位于所述第二开口中。
5.根据权利要求4所述的光学传感器，其中，所述钝化层包括第二氮化硅层。
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【技术特征摘要】
1.一种光学传感器，被配置为感测uv光谱中的第一波长范围内的光，所述光学传感器包括：
2.根据权利要求1所述的光学传感器，其中，所述吸收层是氮化硅层。
3.根据权利要求1所述的光学传感器，其中，所述吸收层具有在5nm至100nm的范围内的厚度。
4.根据权利要求1所述的光学传感器，还包括钝化层，所述钝化层包括所述第一光电二极管的光敏区域上方的第一开口以及所述第二光电二极管的光敏区域上方的第二开口，其中，所述吸收层位于所述第二开口中。
5.根据权利要求4所述的光学传感器，其中，所述钝化层包括第二氮化硅层。
6.根据权利要求5所述的光学传感器，其中，所述吸收层的折射率与所述第二氮化硅层的折射率不同。
7.根据权利要求4所述的光学传感器，其中，所述钝化层具有大于200nm的厚度。
8.根据权利要求1所述的光学传感器，其中，所述第一波长范围包括200nm至275nm，并且所述第二波长范围包括400nm至1100nm。
9.一种制造光学传感器的方法，所述光学传感器被配置为感测uv光谱中的第一波长范围内的光，所述方法包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述吸收层是氮化硅层。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述吸收层具有在5nm至100nm的范围内的厚度。
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【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼尔·盖布勒尔，巴勃罗·西莱斯，乔撒姆·吴恩赋，艾强，塔梅尔·阿卜杜拉赫曼，陈忠鸿，
申请(专利权)人：XFAB全球服务有限公司，
类型：发明
国别省市：
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