【技术实现步骤摘要】
实施例涉及一种硬掩模组合物、硬掩模层以及形成图案的方法。
技术介绍
1、近来，半导体行业已发展到了具有例如数纳米到数十纳米大小的图案的超精细技术。这种超精细技术可使用有效的光刻技术。一些光刻技术可包括：在半导体衬底上提供材料层；在材料层上涂布光刻胶层；对光刻胶层进行曝光及显影，以提供光刻胶图案；以及使用光刻胶图案作为掩模对材料层进行蚀刻。
技术实现思路
1、所述实施例可通过提供一种硬掩模组合物来实现，所述硬掩模组合物包含：由化学式1表示的化合物；以及溶剂，
2、[化学式1]
3、
4、其中，在化学式1中，a是通过饱和或不饱和键形成的5元或6元的环，其中所述环的骨架完全由经取代或未经取代的碳原子组成或者具有至少一个碳原子被氧原子或氮原子置换，l1及l2各自独立地为-(c＝o)h，r1及r2各自独立地为氘、卤素原子、羟基、经取代或未经取代的c1至c30烷氧基、经取代或未经取代的c1至c30烷基、经取代或未经取代的c2至c30烯基、经取代或未经取代的c2至c3...
【技术保护点】
1.一种硬掩模组合物，包括：
2.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中：
3.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中：
4.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中：
5.根据权利要求4所述的硬掩模组合物，其中在化学式2到化学式5中，
6.根据权利要求4所述的硬掩模组合物，其中在化学式2到化学式5中，
7.根据权利要求4所述的硬掩模组合物，其中：
8.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中所述自聚物具有1,000g/mol到200,000g/mol的重均分子量。
9.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种硬掩模组合物，包括：
2.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中：
3.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中：
4.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中：
5.根据权利要求4所述的硬掩模组合物，其中在化学式2到化学式5中，
6.根据权利要求4所述的硬掩模组合物，其中在化学式2到化学式5中，
7.根据权利要求4所述的硬掩模组合物，其中：
8.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中所述自聚物具有1,000g/mol到200,000g/mol的重均分子量。
9.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中以所述硬掩...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑主泳，南沇希，郑瑟基，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：
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