用于控制俘获离子的装置制造方法及图纸

提供了用于控制俘获离子的装置。一种用于控制俘获离子的装置包括衬底。金属层设置在衬底上。离子阱的电极设置在金属层上，其中电极被配置成在电极上方的空间中俘获一个或多个离子。电绝缘体设置在金属层和电极之间。电绝缘体包括面向电极的上表面和面向金属层的下表面。电绝缘体的蚀刻速率沿着从上表面指向下表面的方向增加。

【技术实现步骤摘要】

本公开总地涉及离子阱领域，并且具体地涉及用于量子计算的离子阱。

技术介绍

1、俘获的离子是量子计算机中用作量子比特(量子比特)的最有前途的候选者之一，因为它们可以凭借电磁场在可扩展的阵列中长寿命地被俘获。

2、离子可以在应用到微制造离子阱的表面电极的rf(射频)电压生成的交变电磁场中被俘获。在微制造的离子阱装置中俘获的离子越多，电极的结构宽度可以越小，并且例如到电极的馈线的结构宽度可以越小。

3、为了冷却、状态准备和其他目的，可以通过激光对离子进行寻址。光电离可能在离子附近的电介质表面生成电荷，这可能导致不受控制的杂散场和电噪声。为了让这些电荷尽可能“远离(out ofsight)”离子，电介质表面在电极下方被回蚀刻。因此，电介质中或电介质上可能的电荷载流子可能被悬伸的电极屏蔽。

4、然而，机械应力可能会使悬伸的电极弯曲，或者在小电极的情况下，可能会使它们完全脱离。例如，湿化学处理期间或之后的毛细作用力、锯切期间的冲洗水或在客户现场进行的额外清洗过程可能会产生临界力。在实践中，这可能会限制离子阱设计相对于装置所需的稳定性本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于控制俘获离子的装置，包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中

3.根据权利要求1所述的装置，其中

4.根据权利要求2或3所述的装置，其中

5.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中

6.根据权利要求5所述的装置，其中

7.根据权利要求2所述的装置，其中

8.根据权利要求2或7所述的装置，

9.根据权利要求2至4中任一项所述的装置，其中

10.根据权利要求2或7或8中任一项所述的装置，其中

11.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中

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【技术特征摘要】

1.一种用于控制俘获离子的装置，包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中

3.根据权利要求1所述的装置，其中

4.根据权利要求2或3所述的装置，其中

5.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中

6.根据权利要求5所述的装置，其中

7.根据权利要求2所述的装置，其中

8.根据权利要求2或7所述的装置，

9.根据权利要求2至4中任一项所述的装置，其中

10.根据权利要求2或7或8中任一项所述的装置，其中

11.根据前述...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·K·奥赫特，A·凯撒，C·罗斯勒，H·H·舍恩赫尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：