半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，即使在环境温度或元件温度成为高温的情况下，也能够接受双极晶体管的放大率偏差，抑制输出电压的变动的同时应对宽负载范围，其具有：输出端子，输出输出电压；双极晶体管，输出集电极电流至输出节点；偏置电流生成部，包括：第一节点、第一恒流源、及与第一恒流源相互并联连接的第一晶体管，且生成偏置电流；差动输入部，包括差动对及第二节点，差动对在第二节点生成与基准电压和对应于输出电压的电压的差值相应的控制电压；以及驱动部，包括：电流供给电路、第三节点及根据控制电压控制第三节点的电位的第二晶体管，第一晶体管根据控制电压对偏置电流进行控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置。

技术介绍

1、在搭载有微型计算机、模拟数字(analog digital，ad)/数字模拟(digitalanalog，da)转换器、马达、各种通信系统、各种传感器等的系统中，作为其电源一般使用稳定化电源电路即调节器(regulator)电路。在这些系统的功耗大的情况下，由于调节器所要求的输出电流也大，因此作为所述调节器的输出元件，有时使用能够容易地输出大电流的双极晶体管。

2、例如，在专利文献1中，公开了一种半导体装置，其具有：npn双极晶体管，向连接于输出端子的负载供给输出电流；差动放大器，由金属氧化物半导体(metal oxidesemiconductor，mos)晶体管构成；以及p信道金属氧化物半导体(p-channel metal oxidesemiconductor，pchmos)晶体管，栅极连接于所述差动放大器的输出，将漏极电流供给至npn双极晶体管，控制所述npn双极晶体管的基极电流，从而对输出电压进行控制。

3、[现有技术文献]

4、[专利文献]>

5、[专利文本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述偏置电流生成部具有与所述第一恒流源及所述第一晶体管串联连接的第三晶体管，所述差动输入部具有与所述第三晶体管以电流镜形式连接的第四晶体管。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述双极晶体管是PNP型的双极晶体管，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述偏置电流生成部在所述第一晶体管的源极与所述接地电压之间具有第二恒流源或电阻。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述偏置电流生成部具有与所述第一恒流源及所述第一晶体管串联连接的第三晶体管，所述差动输入部具有与所述第三晶体管以电流镜形式连接的第四晶体管。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述双极晶体管是pnp型的双极晶体管，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述偏置电流生成部在所述第一晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：大森鉄男，
申请(专利权)人：蓝碧石科技株式会社，
类型：发明
国别省市：