【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种集成异质结沟槽栅场效应晶体管。
技术介绍
1、沟槽栅场效应晶体管（mosfet）具有电压控制、更低的导通电阻、低栅漏电荷密度、驱动功率低、低开关损耗和高输入阻抗等优点,且封装密度高,是功率器件中典型的核心器件。沟槽栅场效应晶体管因有着在降低导通电阻的基础上，能够减小器件的开关损耗，同时又可以提高其承受反向击穿电压的能力，从而提高器件的可靠性而引起了研究者们的普遍重视。
2、随着沟槽栅场效应晶体管的飞速发展，其低导通电阻、低驱动功率、低导通压降和低开关损耗等优点，使得沟槽栅场效应晶体管越来越受到推崇和关注。虽然基于沟槽栅和p型屏蔽层的应用，电流密度得到增大，耐压得到提升，但如果使用了p型屏蔽层，电流的密度就会相对减小而耐压增大，且器件关断时漂移区中存储的大量非平衡载流子,导致mosfet器件有着较长的关断拖尾现象,增加了器件的开关损耗,限制了mosfet的开关频率和应用范围。mosfet器件在耐压和导通电阻之间的折衷关系进一步限制了mosfet的发展。同时随mosfet应用范围的不断扩展,诸...
【技术保护点】
1.一种集成异质结沟槽栅场效应晶体管，其特征在于，包括自下而上依次层叠设置的n型硅衬底（10）、第一导电类型场截至层（9）和第一导电类型半导体漂移区（8），所述第一导电类型半导体漂移区（8）上设有多个依次排列的导电模块，且相邻两个导电模块对称设置，所述导电模块包括由外至内依次设置的第二导电类型电场屏蔽区a（71）、第二导电类型半导体深阱区（5）、第二导电类型电场屏蔽区b（72）和部分的第二类导电材料（6）；
2.根据权利要求1所述的一种集成异质结沟槽栅场效应晶体管，其特征在于，所述第一导电类型沟槽多晶硅区（1）上表面设有第一电极（101），所述第一导电类型...
【技术特征摘要】
1.一种集成异质结沟槽栅场效应晶体管，其特征在于，包括自下而上依次层叠设置的n型硅衬底（10）、第一导电类型场截至层（9）和第一导电类型半导体漂移区（8），所述第一导电类型半导体漂移区（8）上设有多个依次排列的导电模块，且相邻两个导电模块对称设置，所述导电模块包括由外至内依次设置的第二导电类型电场屏蔽区a（71）、第二导电类型半导体深阱区（5）、第二导电类型电场屏蔽区b（72）和部分的第二类导电材料（6）；
2.根据权利要求1所述的一种集成异质结沟槽栅场效应晶体管，其特征在于，所述第一导电类型沟槽多晶硅区（1）上表面设有第一电极（101），所述第一导电类型沟槽多晶硅区（1）的外侧壁上设有第一类绝缘材料栅氧层（11），所述第一导电类型沟槽多晶硅区（1）与第一类绝缘材料栅氧层（11）和第一电极（101）直接接触，且所述第一导电类型沟槽多晶硅区（1）结构为六边形，且底部为缺口型结构。
3.根据权利要求1所述的一种集成异质结...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪志刚，黄孝兵，熊琴，余建祖，张卓，钟驰宇，
申请(专利权)人：强华时代成都科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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