【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造工艺领域，尤其涉及一种用于半导体化合物光刻胶的剥离液、其制备方法及用途。
技术介绍
1、在led、oled等半导体制造工艺中，通过在一些材料的表面上形成光刻胶的掩膜，曝光后进行图形转移，在得到需要的图形后，进行下一道工序之前，需要剥去残留的光刻胶。在这个过程中要求完全除去不需要的光刻胶，同时不能腐蚀任何基材。
2、现有的光刻胶清洗液主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶，由于三五族化合物材料的特殊性，使用以单乙醇胺/n-甲基吡咯烷酮体系对能抑制si半导体器件中si衬底和al线的腐蚀，但是对于由gaas等化合物制成的半导体器件，耐腐蚀的效果不理想。
3、因此，为了克服现有光刻胶清洗液的缺陷，克服现有光刻胶清洗液对gaas等三五族化合物的保护能力不足，亟待寻求新的光刻胶剥离液。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题：现有光刻胶清洗液对gaas等三五族化合物的...
【技术保护点】
1.一种用于半导体化合物光刻胶的剥离液，其特征在于，按照重量份计算，包括如下组分：
2.根据权利要求1所述的用于半导体化合物光刻胶的剥离液，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的用于半导体化合物光刻胶的剥离液，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的用于半导体化合物光刻胶的剥离液，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的用于半导体化合物光刻胶的剥离液，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的用于半导体化合物光刻胶的剥离液，其特征在于：
7.根据权利要求6所述的用于半导体化合物光刻胶的剥离液，其特征在于：
8.一...
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体化合物光刻胶的剥离液，其特征在于，按照重量份计算，包括如下组分：
2.根据权利要求1所述的用于半导体化合物光刻胶的剥离液，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的用于半导体化合物光刻胶的剥离液，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的用于半导体化合物光刻胶的剥离液，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的用于半导体化合物光刻胶的剥离液，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的用于半导体化合物光刻胶的...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯军，吕晶，任浩楠，隋新，
申请(专利权)人：浙江奥首材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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