一种高熵陶瓷有机先驱体及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种高熵陶瓷有机先驱体及其制备方法和应用，涉及复相陶瓷制备技术领域。该方法包括以下步骤：在惰性气体保护气氛中，将钛源、锆源、铌源、铪源和钽源添加到碳源中，搅拌，然后加入醇，反应，脱除溶剂，然后真空干燥，制得(Ti<subgt;0.2</subgt;Zr<subgt;0.2</subgt;Nb<subgt;0.2</subgt;Hf<subgt;0.2</subgt;Ta<subgt;0.2</subgt;)C高熵陶瓷有机先驱体，即为高熵陶瓷有机先驱体。本发明专利技术具有原料廉价简便易得、工艺简单、制备周期短、成本低、先驱体分子结构新颖、陶瓷产率高以及溶解性能好的特点。本发明专利技术解决了现有技术中的制备高熵陶瓷有机先驱体的方法反应路线复杂、成本高、产率低、含杂质以及溶解性差的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及复相陶瓷制备，具体涉及一种高熵陶瓷有机先驱体及其制备方法和应用。

技术介绍

1、过渡金属碳化物tic、zrc、nbc、hfc、tac的熔点高达3000℃以上，是典型的超高温陶瓷，具有良好的高温力学性能和化学稳定性，在热防护领域具有重要的应用，但是，过渡金属碳化物在高温下易氧化的特点，导致它们不适合在含水氧的烧蚀环境中应用。近年来，将原子比接近或相等的ti、zr、nb、hf、ta金属原子与碳原子结合制成(ti0.2zr0.2nb0.2hf0.2ta0.2)c高熵陶瓷，即含有多主元的单相固溶陶瓷，成为了陶瓷领域备受关注的研究热点。与相应单组分金属碳化物相比，多主元化使高熵陶瓷具有更高的硬度和模量，其内部高度的晶格畸变赋予了高熵陶瓷更低的导热率和热扩散系数，复杂的元素组成赋予了高熵陶瓷扩散迟滞的效应，抑制材料相变、晶粒生长，并会在氧化过程中在陶瓷表面形成复杂的致密氧化层，抑制水蒸气和氧气的扩散，以上的这些特性使高熵陶瓷的抗氧化性能得到了显著的提升。

2、目前，传统粉末烧结法是制备(zr0.2ti0.2hf0.2nb0.2ta0.2)c高本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高熵陶瓷有机先驱体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的高熵陶瓷有机先驱体的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，惰性气体保护气氛为氮气或氩气。

3.根据权利要求1所述的高熵陶瓷有机先驱体的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，将等摩尔的钛源、锆源、铌源、铪源和钽源添加到碳源中，钛源、碳源和醇的摩尔比为0.2：2-4：5-20。

4.根据权利要求1所述的高熵陶瓷有机先驱体的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，钛源为氯化钛、氧氯化钛、四甲醇钛、四乙醇钛、四丙醇钛、四异丙醇钛、四丁醇钛、四异丁醇钛或四戊醇钛；锆源为氯化锆、氧氯...

【技术特征摘要】

1.一种高熵陶瓷有机先驱体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的高熵陶瓷有机先驱体的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，惰性气体保护气氛为氮气或氩气。

3.根据权利要求1所述的高熵陶瓷有机先驱体的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，将等摩尔的钛源、锆源、铌源、铪源和钽源添加到碳源中，钛源、碳源和醇的摩尔比为0.2：2-4：5-20。

4.根据权利要求1所述的高熵陶瓷有机先驱体的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，钛源为氯化钛、氧氯化钛、四甲醇钛、四乙醇钛、四丙醇钛、四异丙醇钛、四丁醇钛、四异丁醇钛或四戊醇钛；锆源为氯化锆、氧氯化锆、四甲醇锆、四乙醇锆、四丙醇锆、四异丙醇锆、四丁醇锆、四异丁醇锆或四戊醇锆；铌源为氯化铌、氧氯化铌、五甲醇铌、五乙醇铌、五丙醇铌、五异丙醇铌、五丁醇铌、五异丁醇铌或五戊醇铌；铪源为氯化铪、氧氯化铪、四甲醇铪、四乙醇铪、四丙醇铪、四...

【专利技术属性】
技术研发人员：余兆菊，
申请(专利权)人：国投陶瓷基复合材料研究院西安有限公司，
类型：发明
国别省市：