【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及flash存储,尤其涉及一种提高flash存储次数的数据管理方法及系统。
技术介绍
1、目前,使用flash存储数据的嵌入式智能产品越来越多,针对需要大量数据存储且可导出历史数据的应用场合,例如电力、气象等行业的数据采集和监测,需频繁对flash进行擦除和数据记录。市场主流的产品例如nand flash和nor flash,二者的最小擦除单位都是扇区。如果不对flash的存储次数进行管理,将大大影响嵌入式设备的可靠性和健壮性。
2、现有技术提高单片机flash存储次数的方法,大多基于多扇区循环存储,检测预存基地址对应数据存储单元的内容,根据crc、魔数标志或设定存储阈值等方案,进行存储结果判定,判断存储内容是否为有效值。优点在于不对指定扇区进行频繁擦除写入,而是合理利用所有扇区进行循环擦除写入,若flash擦除寿命为10000次,则可以提高到10000*n次的使用寿命(n表示划分扇区的个数),但这针对每次存储的数据量远远小于一个扇区大小时,而常用flash的最小擦除单位为扇区,那么一个扇区中未使用到的存储区域则
...【技术保护点】
1.一种提高FLASH存储次数的数据管理方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的提高FLASH存储次数的数据管理方法,其特征在于,所述根据所述已存储地址确定所述数据区域的第一地址,包括:
3.根据权利要求1所述的提高FLASH存储次数的数据管理方法,其特征在于,所述从所述管理区域读取数据管理信息,获取数据记录信息的已存储地址,包括:
4.根据权利要求3所述的提高FLASH存储次数的数据管理方法,其特征在于,所述初始化数据管理信息,包括:
5.根据权利要求3所述的提高FLASH存储次数的数据管理方法,其特征在于,
...【技术特征摘要】
1.一种提高flash存储次数的数据管理方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的提高flash存储次数的数据管理方法,其特征在于,所述根据所述已存储地址确定所述数据区域的第一地址,包括:
3.根据权利要求1所述的提高flash存储次数的数据管理方法,其特征在于,所述从所述管理区域读取数据管理信息,获取数据记录信息的已存储地址,包括:
4.根据权利要求3所述的提高flash存储次数的数据管理方法,其特征在于,所述初始化数据管理信息,包括:
5.根据权利要求3所述的提高flash存储次数的数据管理方法,其特征在于,所述步骤s130还包括:
6.根据权利要求3所述的提高flash存储次数的数据管理方法,其特征在于,所述根据所述数据管理信息确定所述管理区域的第二地址,包括:
7.根据权利要求6所述的提高f...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈光喻,冯聪杰,谢林峰,程琪,胡竹,罗剑,
申请(专利权)人:四川九洲电器集团有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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