【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电容器电极材料及生产方法，尤其是一种电容器电极材料用镓掺杂氧化钴及生产方法。
技术介绍
1、电极材料的微观结构和组成决定了电荷存储能力和电荷转移速率。过渡金属氧化物是最常见的一种电极材料，近年来人们经常使用复合或者掺杂的方式将两种过渡金属相结合，金属间的相互作用也会在一定程度上为电荷的运输和存储提供活性位点，从而达到改善单一过渡金属氧化物电化学性能的目的。chen等合成束状cuco2o4在1 ag-1下的比容量为303.22 c g-1，组成超电器件后比容量达到152.25 c g-1。xu等将铁掺杂到氧化钴结构中，比容量达到461.5 c g-1。
2、孔隙结构可以为电荷传输提供通道，因此人们也在利用构筑壳层结构、引入碳材料、利用疏松结构基底等方式提高材料高孔隙率来达到提高电化学性能的目的，但大多合成路径复杂，成本较高。金属有机框架（mof）是一类多孔的晶体材料，由金属离子/团簇和有机桥配体在空间中延伸配位而成。其金属离子位置和结构可控、孔隙率大、比表面积高，可以通过改变无机部分和有机部分的组合或调整反应...
【技术保护点】
1.一种电容器电极材料用镓掺杂氧化钴，其特征在于：在钴-MOF衍生的多孔结构中掺杂有金属镓，所述钴离子与镓离子的摩尔比为50-90：1。
2.一种如权利要求1所述的电容器电极材料用镓掺杂氧化钴的生产方法，其特征在于按照如下步骤进行：
3.根据权利要求2所述的电容器电极材料用镓掺杂氧化钴的生产方法，其特征在于按照如下步骤进行：
4. 根据权利要求3所述电容器电极材料用镓掺杂氧化钴，其特征在于所述步骤6是将粉末均匀平铺放入瓷舟中，平铺的厚度不超过1 mm，将瓷舟放于恒温管式炉石英管中央进行焙烧；温度设置如下：从室温开始，以每分钟3-10...
【技术特征摘要】
1.一种电容器电极材料用镓掺杂氧化钴，其特征在于：在钴-mof衍生的多孔结构中掺杂有金属镓，所述钴离子与镓离子的摩尔比为50-90：1。
2.一种如权利要求1所述的电容器电极材料用镓掺杂氧化钴的生产方法，其特征在于按照如下步骤进行：
3.根据权利要求2所述的电容器电极材料用镓掺杂氧化钴的生产方法，其特征在于按照如下步骤进...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱江，李一锋，杨鑫，王金歌，王文文，孙露洋，何兴君，崔琳曼，
申请(专利权)人：辽宁师范大学，
类型：发明
国别省市：
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