一种氧化铝基复合陶瓷介电层及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种氧化铝基复合陶瓷介电层，由碳化硅晶须增韧的氧化铝基复合陶瓷层与改性有机硅树脂表面涂层组成。本发明专利技术还提供一种氧化铝基复合陶瓷介电层的制备方法，包括如下步骤：将原料湿法球磨分散制备混合料浆，再经流延、丝网印刷、叠层、烧结工艺，得到氧化铝基复合陶瓷，其表面整平抛光后，喷砂控制粗糙度，再喷涂改性有机硅树脂，即得氧化铝基复合陶瓷介电层。本发明专利技术创造性地引入碳化硅晶须，提高氧化铝基复合陶瓷介电层的力学性能，少量掺入氮化铝提高其力学强度与热力学稳定性，喷涂改性有机硅树脂提高表面抗蚀刻性能，延长使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种氧化铝基复合陶瓷介电层及其制备方法，属于静电卡盘介电层制备。

技术介绍

1、静电卡盘是半导体制造设备的核心部件，随着大规模集成电路设备的改进和在半导体制造技术的创新，需要陶瓷静电卡盘的设备种类越来越多。然而静电卡盘的成熟技术目前被国外公司如应用材料、lam research、ngk等公司严格封锁，国内目前没有技术成熟的静电卡盘生产工艺。大部分国内研发机构和公司目前制造出的静电卡盘，各项性能远低于国外公司。

2、当前，静电卡盘中常用的介电层材料主要为氧化铝陶瓷、氮化铝陶瓷及氮化硅陶瓷，其中氧化铝陶瓷介电层的制造工艺与加工技术成熟，其具备的化学稳定性高、介电损耗低、机械强度高、易于储存和使用且成本低的优势使其成为静电卡盘陶瓷介电层的首选材料。

3、然而，氧化铝陶瓷的应用仍受限于陶瓷材料脆性过大、韧性较低的缺陷，而其热导率低、热膨胀系数高的问题亦使其应用存在局限性。

4、此外，氧化铝陶瓷介电层在半导体刻蚀过程中，受磨削、侵蚀和等离子轰击等恶劣环境的影响，极易损坏，严重影响其使用寿命。>

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氧化铝基复合陶瓷介电层，由氧化铝基复合陶瓷层与改性有机硅树脂表面涂层组成，其特征在于，所述氧化铝基复合陶瓷层的主要成分包括氧化铝、氮化铝和碳化硅晶须，所述改性有机硅树脂为环氧树脂与有机硅树脂的共混物。

2.根据权利要求1所述氧化铝基复合陶瓷介电层，其特征在于，所述氧化铝的纯度为95％～99.9％；所述氧化铝的粒径为0.1～5μm，优选地，氧化铝的粒径为0.5～2μm；所述氮化铝的纯度为95％～99.9％；所述氮化铝粒径为0.2～5μm，优选地，氮化铝粒径为0.5～2μm。

3.根据权利要求1所述氧化铝基复合陶瓷介电层，其特征在于，所述碳化硅晶须的直径为0....

【技术特征摘要】

1.一种氧化铝基复合陶瓷介电层，由氧化铝基复合陶瓷层与改性有机硅树脂表面涂层组成，其特征在于，所述氧化铝基复合陶瓷层的主要成分包括氧化铝、氮化铝和碳化硅晶须，所述改性有机硅树脂为环氧树脂与有机硅树脂的共混物。

2.根据权利要求1所述氧化铝基复合陶瓷介电层，其特征在于，所述氧化铝的纯度为95％～99.9％；所述氧化铝的粒径为0.1～5μm，优选地，氧化铝的粒径为0.5～2μm；所述氮化铝的纯度为95％～99.9％；所述氮化铝粒径为0.2～5μm，优选地，氮化铝粒径为0.5～2μm。

3.根据权利要求1所述氧化铝基复合陶瓷介电层，其特征在于，所述碳化硅晶须的直径为0.5～10μm，长度为100～500μm，优选地，碳化硅晶须的直径为3～7μm，长度为200～400μm。

4.根据权利要求1所述氧化铝基复合陶瓷介电层，其特征在于，所述改性有机硅树脂涂料中环氧树脂含量为40％～60wt％。

5.根据权利要求1所述氧化铝基复合陶瓷介电层，其特征在于，所述有机硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾俊迪，李博，张荦，李轶凡，邱东兴，
申请(专利权)人：湖北鼎龙汇鑫科技有限公司，
类型：发明
国别省市：