【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太赫兹波调制，特别是涉及一种晶格增强型的多功能太赫兹光控调制器。
技术介绍
1、光-物质反应在非线性光学系统和强耦合场中具有重要意义，已成为一个备受关注的研究热点。多样化的局部电磁(em)模式用来增强光-物质反应，从而构建具备优异性能的调制器。在各种增强策略中，超表面(metasursurface)是一种具有奇异性质的人工二维(2d)结构，为激发em模式提供了理想的途径。依靠合适的材料、巧妙的设计和优化的结构参数，可以灵活地控制包括振幅、频率和相位在内的电磁特性。特别是，由于太赫兹(thz)波具有足够的穿透性、高分辨率、低能量和瞬态性能，在太赫兹下工作的基于超表面的器件完美地满足了高速无线通信、化学分析和生物监测的迫切需求，从而在调制器设计方面展现出了巨大的应用潜力。尽管取得了如此重大的成就，但由于制造后的功能固化，阻碍了基于超表面的调制器的多功能化、集成化，限制了其进一步发展的可能。
2、因此，为了获得灵活、实时可控的太赫兹调制器件，加载半导体(硅、锗)、二维材料(二硫化钼、石墨烯)、相变材料(二氧化钒、碲化...
【技术保护点】
1.一种晶格增强型的多功能太赫兹光控调制器，其特征在于，所述太赫兹调制器包括：
2.根据权利要求1所述的晶格增强型的多功能太赫兹光控调制器，其特征在于，所述第一金属分裂环谐振器和所述第二金属分裂环谐振器均为长方形，且内部为长方形中空结构；相互靠近的两个长方形的边为临近边，与所述临近边对应的边为远离边，在两个长方形的远离边上均设置有分裂口。
3.根据权利要求2所述的晶格增强型的多功能太赫兹光控调制器，其特征在于，所述第一硅方环的尺寸与所述第一金属分裂环谐振器上的所述分裂口的尺寸相等，所述第二硅方环的尺寸与所述第二金属分裂环谐振器上的所述分裂口的尺
【技术特征摘要】
1.一种晶格增强型的多功能太赫兹光控调制器，其特征在于，所述太赫兹调制器包括：
2.根据权利要求1所述的晶格增强型的多功能太赫兹光控调制器，其特征在于，所述第一金属分裂环谐振器和所述第二金属分裂环谐振器均为长方形，且内部为长方形中空结构；相互靠近的两个长方形的边为临近边，与所述临近边对应的边为远离边，在两个长方形的远离边上均设置有分裂口。
3.根据权利要求2所述的晶格增强型的多功能太赫兹光控调制器，其特征在于，所述第一硅方环的尺寸与所述第一金属分裂环谐振器上的所述分裂口的尺寸相等，所述第二硅方环的尺寸与所述第二金属分裂环谐振器上的所述分裂口的尺寸相等。
4.根据权利要求3所述的晶格增强型的多功能太赫兹光控调制器，其特征在于，所述第一金属分裂环谐振器上的所述分裂口与所述第二金属分裂环...
【专利技术属性】
技术研发人员：张晶，梁建刚，娄菁，赵希来，袁鸿平，
申请(专利权)人：中国人民解放军空军工程大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。