【技术实现步骤摘要】
本公开涉及功率半导体以及电机驱动领域。具体地，涉及用于电机驱动的功率半导体电路。
技术介绍
1、在电机驱动领域，需要功率半导体组成的三相全桥电路将直流电与交流电互相转换。所谓的三相全桥电路由三个半桥电路构成，所谓半桥电路通常由功率半导体构成的开关元件来实现。通过对开关元件的开通和关断控制来实现电流的流动和变换。
2、目前在电机驱动领域常用的主要功率半导体晶体管包括igbt，mosfet，碳化硅mofset，碳化硅jfet，氮化镓hemt等。目前碳化硅mosfet由于效率高的优势，开始比较广泛的应用于电机驱动领域。但是碳化硅mosfet由于自身特性，其抗短路能力较弱，从而造成采用mosfet的驱动系统的可靠性差。同样，氮化镓hemt的抗短路能力更弱，在遭遇短路的情况下极易爆炸，造成驱动系统的损坏，使其在电机驱动领域的应用中面临很大的瓶颈。
技术实现思路
1、针对上述问题，本申请公开了用于电机驱动的功率半导体电路。这种功率半导体电路可以体现为半桥电路、包括多个半桥电路的多相全桥电路...
【技术保护点】
1.一种用于驱动电机的多相全桥驱动系统，包括：
2.根据权利要求1所述的多相全桥驱动系统，其中所述第一晶体管和第二晶体管分别为碳化硅JEFT和碳化硅MOSFET；或者所述第一晶体管和第二晶体管分别为相同的碳化硅MOSFET；或者所述第一晶体管和第二晶体管分别为第一类型的碳化硅MOSFET和第二类型的MOSFET。
3.根据权利要求2所述的多相全桥驱动系统，其中所述第一晶体管和第二晶体管分别为相同的碳化硅MOSFET的情况下，通过调节与每个半桥电路的第一晶体管和第二晶体管的控制端子相连接的晶体管驱动部件来分别配置每个半桥电路的第一晶体管和第二晶体...
【技术特征摘要】
1.一种用于驱动电机的多相全桥驱动系统，包括：
2.根据权利要求1所述的多相全桥驱动系统，其中所述第一晶体管和第二晶体管分别为碳化硅jeft和碳化硅mosfet；或者所述第一晶体管和第二晶体管分别为相同的碳化硅mosfet；或者所述第一晶体管和第二晶体管分别为第一类型的碳化硅mosfet和第二类型的mosfet。
3.根据权利要求2所述的多相全桥驱动系统，其中所述第一晶体管和第二晶体管分别为相同的碳化硅mosfet的情况下，通过调节与每个半桥电路的第一晶体管和第二晶体管的控制端子相连接的晶体管驱动部件来分别配置每个半桥电路的第一晶体管和第二晶体管使得所述第一晶体管的抗短路能力强于所述第二晶体管的抗短路能力，并且第一晶体管的短路饱和电流低于所述第二晶体管的短路饱和电流。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的多相全桥驱动系统，其中所述第一晶体管和第二晶体管分别与二极管反向并联，所述二极管选自包括碳化硅的具有肖特基结构的二极管和快恢复二极管的组。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的多相全桥驱动系统，其中在所述第一晶体管和第二晶体管分别为碳化硅jeft和碳化硅mosfet的情况下，响应于所述三相全桥驱动系统失去控制，每个半桥电路的碳化硅jeft同时开通以使所述电机进入主...
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