【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、存储器广泛用于各种电子设备，诸如蜂窝电话、数字相机、个人数字助理、医疗电子器件、移动计算设备、非移动计算设备和数据服务器。存储器可包括非易失性存储器或易失性存储器。即使当非易失性存储器未连接至电源(例如，电池)时，非易失性存储器也允许存储和保留信息。虽然易失性存储器(例如，动态随机存取存储器或dram)通常已用于具有低延迟和高处理量要求的特定应用，但一些类型的非易失性存储器(有时称为“新兴存储器”或“存储级存储器”)可被配置为满足此类要求并且也可使用。
2、非易失性存储器单元可以驻留在交叉点非易失性存储器阵列中。在具有交叉点型架构的非易失性存储器阵列中，第一组导电线跨衬底的表面延伸，并且第二组导电线形成于第一组导电线上方，在衬底上方沿垂直于第一组导电线的方向延伸。存储器单元位于这两组导电线的交叉点结处。
3、可逆电阻率存储器单元由具有可编程电阻的材料形成。在二进制方法中，每个交叉点处的存储器单元可以被编程为两种电阻状态(高电阻状态和低电阻状态)中的一种。在一些方法中，可以使用超过两种电阻状态。一种...
【技术保护点】
1.一种被配置为与在多个地址处存储数据的非易失性存储器阵列通信的控制电路，所述控制电路包括：
2.根据权利要求1所述的控制电路，其中所述非易失性存储器阵列是磁阻式随机存取存储器(MRAM)、相变存储器(PCM)或电阻式随机存取存储器(ReRAM)中的一者。
3.根据权利要求1所述的控制电路，其中所述公共请求缓冲器被配置为存储指向所述第一地址的第一请求直到所述第一请求完成，并且仅在所述第一请求完成之后接收并存储指向所述第一地址的第二请求。
4.根据权利要求1所述的控制电路，其中所述公共请求缓冲器中的条目包括指示所接收的请求的类型的请求...
【技术特征摘要】
1.一种被配置为与在多个地址处存储数据的非易失性存储器阵列通信的控制电路，所述控制电路包括：
2.根据权利要求1所述的控制电路，其中所述非易失性存储器阵列是磁阻式随机存取存储器(mram)、相变存储器(pcm)或电阻式随机存取存储器(reram)中的一者。
3.根据权利要求1所述的控制电路，其中所述公共请求缓冲器被配置为存储指向所述第一地址的第一请求直到所述第一请求完成，并且仅在所述第一请求完成之后接收并存储指向所述第一地址的第二请求。
4.根据权利要求1所述的控制电路，其中所述公共请求缓冲器中的条目包括指示所接收的请求的类型的请求类型字段和指示所述非易失性存储器阵列中的对应地址的地址字段。
5.根据权利要求4所述的控制电路，其中所述条目还包括用于与对应请求相关联的数据的数据字段和指示所述数据字段的状态的数据状态字段。
6.根据权利要求5所述的控制电路，其中所述条目还包括：存储器命令字段，所述存储器命令字段被配置为保持与所述对应请求相关联的存储器命令的指示标识；和命令状态字段，所述命令状态字段被配置为保持与所述存储器命令相关联的状态指示标识。
7.根据权利要求1所述的控制电路，其中所述请求包括主机请求，所述主机请求至少包括读取请求和写入请求。
8.根据权利要求7所述的控制电路，其中所述请求还包括至少包括损耗均衡移动(wlm)请求和刷新请求的媒体管理请求，每个wlm请求指定所述非易失性存储器阵列中将从中读取主机数据的源地址和所述非易失性存储器阵列中将被写入所述主机数据的目的地地址，每个刷新请求指定所述非易失性存储器阵列中存储主机数据的对应地址，所述刷新请求指示将在所述对应地址处重新写入所述主机数据。
9.根据权利要求1所述的控制电路，还包括连接到所述公共请求缓冲器的纠错码(ecc)电路，所述ecc电路被配置为校正所述公共请求缓冲器中的...
【专利技术属性】
技术研发人员：张伦凯，R·马德森，M·卢克博登，
申请(专利权)人：西部数据技术公司，
类型：发明
国别省市：
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