一种含氰基配位过渡金属阴离子插层类水滑石的制备方法及其应用技术

一种含氰基配位过渡金属阴离子插层类水滑石的制备方法，包括以下步骤：一：分别称取一定物质的量为nM和nA的二价金属氯化物和三价铝源，其中二价金属元素与三价铝元素总物质的量之比为nM:nA＝1.0～4.0，加水配制成三价铝离子浓度为0～0.8mol/L的混合溶液A；二：按三价铝元素的物质的量的1～6倍称取氰基配位过渡金属阴离子酸根的盐n<subgt;0</subgt;A，称取一定量的碱，使其物质的量为2(nM+nA)*(1±0.1)，并用水配置成溶液B，溶液B中有效氢氧根离子的浓度为0.1～4.0mol/L；三：在氮气保护条件下将溶液A和溶液B充分混合；继续搅拌0.5～3h，转入陈化容器，在20～200℃温度下陈化3～72h，过滤并加水洗涤至滤液中性，再用水洗涤固体，洗去可溶性杂质，得到滤饼；四：将滤饼在真空或氮气气氛中干燥至恒重。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及类水滑石领域，特别指一种含氰基配位过渡金属阴离子插层类水滑石的制备方法及应用。

技术介绍

1、有机高分子材料因其优异的综合性能被广泛应用于生产生活，但多数有机高分子具有易燃，在日光下易老化等缺点，因此，需要对有机高分子进行阻燃处理。普通碳酸根插层的镁铝水滑石主要作为pvc热稳定剂被广泛应用，但作为阻燃剂，因水滑石阻燃机理与氢氧化镁等阻燃剂相同，故普遍存在阻燃效率偏低的问题，即添加量较低时阻燃能力差，添加量较大时相溶性较差、复合材料力学性能下降明显，这一问题导致水滑石阻燃剂产业化应用较少。含氰基配位过渡金属的阴离子一般具有稳定的配位数，稳定常数极大，其钠盐、钾盐应用广泛，可溶于水，室温及非强酸强碱环境下不会分解放出氰根离子，没有毒性。较常见的含氰基配位过渡金属的阴离子有亚铁氰酸根、铁氰酸根、钴氰酸根和镍氰酸根等，部分氰根被其他配体取代的配阴离子一般也较稳定，如较长见的亚硝基铁氰酸根。含氰基配位过渡金属的阴离子可作为阴离子客体插入类水滑石(ldhs)的金属氢氧化物层板生成类水滑石。含氰基配位过渡金属的阴离子插层的ldhs受热分解时，会产生金属氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种含氰基配位过渡金属阴离子插层类水滑石的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述二价金属氯化物是镁、钙、锌中的一种或多种，所述三价铝源包括铝盐、硝酸铝、氢氧化铝、铝酸钠和偏铝酸钠中的一种或多种，提供氰基配位过渡金属阴离子酸根的盐为铁氰酸、亚铁氰酸、亚硝基铁氰酸、镍氰酸及钴氰酸的钠盐和钾盐中的一种或多种；碱为碱金属氢氧化物。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤三中，溶液A和溶液B充分混合方式是：将溶液A放在反应容器中，控制反应温度20～90℃，然后将溶液B匀速加入A溶液；或，

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【技术特征摘要】

1.一种含氰基配位过渡金属阴离子插层类水滑石的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述二价金属氯化物是镁、钙、锌中的一种或多种，所述三价铝源包括铝盐、硝酸铝、氢氧化铝、铝酸钠和偏铝酸钠中的一种或多种，提供氰基配位过渡金属阴离子酸根的盐为铁氰酸、亚铁氰酸、亚硝基铁氰酸、镍氰酸及钴氰酸的钠盐和钾盐中的一种或多种；碱为碱金属氢氧化物。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤三中，溶液a...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈楠，张禹泽，李丽娟，宋富根，时东，姬连敏，宋雪雪，聂锋，
申请(专利权)人：中国科学院青海盐湖研究所，
类型：发明
国别省市：