一种红外阻隔AZO镀膜玻璃及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种红外阻隔AZO镀膜玻璃及其制备方法，在浮法玻璃的空气面和锡面进行双面AZO薄膜沉积，与传统单面镀膜玻璃比较，对红外辐射具有更高的阻隔性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及镀膜玻璃，尤其涉及一种红外阻隔azo镀膜玻璃及其制备方法。

技术介绍

1、传统的透明导电氧化物(tco)薄膜由于兼具高透光性与导电性，并具备良好的红外阻隔功能，已广泛应用在家电(如烤箱，冰柜，酒柜)、建筑幕墙玻璃等领域，用于提升应用能效。目前市场上主流的基于tco薄膜的红外阻隔薄膜包括锡掺杂氧化铟(ito)和氟掺杂氧化锡(fto)。ito薄膜通常采用磁控溅射方式沉积，该薄膜虽然具有最佳的导电性能、红外阻隔以及和可见光透过性能，但是由于铟元素属于稀有金属元素，在地球上储量不多，且具有一定的毒性，价格昂贵，很难实现大面积、低成本的应用。fto通常采用在线沉积的热喷涂方式制备，即把含有四氯化锡和氟化物的溶液喷涂在锡槽出料端的玻璃空气面上，利用玻璃生产过程中本身的温度(400℃左右)进行化学物质分解、氧化、沉积。这种沉积方式虽然制备成本相对较低，但是存在如下不足：生产灵活性较差——主要依赖浮法线窑炉进行生产，且不易实现不同厚度玻璃的随意切换；有较大的雾度——更低面电阻的fto薄膜常呈现金字塔形表面结构，这容易造成光学散射，导致雾度偏大，不能满足高光学本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种红外阻隔AZO镀膜玻璃，其特征在于，在玻璃基片的锡面和非锡面上分别通过磁控溅射依次而得的Na离子阻挡层、Zn层、AZO层、氧阻挡层、减反层；其中，Na离子阻挡层为在基片上溅射硅、氧化钛、氧化锆中的一种而得，氧阻挡层为在AZO层上溅射氧化硅、氮化硅、氧化锆、氧化钛、氧化锌锡中的一种而得，减反层为在氧阻挡层上溅射氧化硅、氟化镁中的一种而得；其中，Na离子阻挡层的膜层厚度10-20nm；Zn层的膜层厚度5-30nm；AZO层的膜层厚度300-500nm；氧阻挡层的膜层厚度30-50nm；减反层的膜层厚度40-150nm；其中，所述红外阻隔AZO镀膜玻璃在钢化炉中经强制对流高温钢化处理，...

【技术特征摘要】

1.一种红外阻隔azo镀膜玻璃，其特征在于，在玻璃基片的锡面和非锡面上分别通过磁控溅射依次而得的na离子阻挡层、zn层、azo层、氧阻挡层、减反层；其中，na离子阻挡层为在基片上溅射硅、氧化钛、氧化锆中的一种而得，氧阻挡层为在azo层上溅射氧化硅、氮化硅、氧化锆、氧化钛、氧化锌锡中的一种而得，减反层为在氧阻挡层上溅射氧化硅、氟化镁中的一种而得；其中，na离子阻挡层的膜层厚度10-20nm；zn层的膜层厚度5-30nm；azo层的膜层厚度300-500nm；氧阻挡层的膜层厚度30-50nm；减反层的膜层厚度40-150nm；其中，所述红外阻隔azo镀膜玻璃在钢化炉中经强制对流高温钢化处理，最终得到的红外阻隔azo镀膜玻璃的综合面电阻不高于9欧姆，在780-2500nm的红外波段平均透过率不高于17％，在380-780nm可见光波段平均透过率不低于79.0％。

2.一种红外阻隔azo镀膜玻璃的制备方法，其特征在于，包括步骤：

3.如权利要求2所述的红外阻隔azo镀膜玻璃的制备方法，其中，步骤(1.2)中，溅射方式为直流、中频以及射频中的一种，溅射条件为：本底真空度为2.0～6.0×10-3pa，基片温度为40～80℃，溅射功率密度为6～10w/cm2，溅射气体为混合比例为1:2～1:3氧气和氩气；na离子阻挡层的膜层厚度10～20nm；步骤(1.3)中，溅射方式为直流、中频以及射频中的一种，溅射条件为：本底真空度为2.0～6.0×10-3pa，基片温度为40～80℃，溅射功率密度为10～30w/cm2，溅射气体为氩气；zn层的膜层厚度5～30nm；步骤(1.4)中，溅射方式为直流、中频以及射频中的一种，溅射条件为：本底真空度为2.0～6.0×10-3pa，基片温度为50～100℃，溅射功率密度为10-30w/cm2，溅射气体为混合比例为1:8～1:10的氧气和氩气；azo层的膜层厚度300～500nm；步骤(1.5)中，溅射方式为直流、中频以及射频中的一种，溅射条件为：本底真空度为2.0～6.0×10-3pa，基片温度为40...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴海忠，杨晔，
申请(专利权)人：宁波海燕新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：