【技术实现步骤摘要】
本公开关于半导体装置与用于形成其的方法，尤其涉及混合接合的半导体装置与用于形成其的方法。
技术介绍
1、在半导体领域中，特征尺寸的缩小、速度、效能、密度与每单位集成电路的成本的优化皆为相当重要的目标。在实际应用上，半导体装置的尺寸逐渐缩小的同时，仍须保持半导体装置的电性表现以符合商业需求。例如，在制造过程中，半导体装置中的层及元件的损伤会对电性表现产生可观的影响，因此如何降低或避免层及元件的损伤是本领域技术人员面临的重要议题之一。一般而言，具有良好电性表现的半导体装置需要元件具有完整轮廓(profiles)。
技术实现思路
1、本公开提供半导体装置与用于形成其的方法，其可降低或避免半导体装置中的层及元件的损伤，并可提升半导体装置的电性表现。
2、根据本公开的一实施例，提供一种半导体装置，包括基板、配置于基板上的第一半导体结构、配置于第一半导体结构上的第二半导体结构以及耦接于基板与第一半导体结构之间的导线。第一半导体结构与第二半导体结构通过该导线电性连接基板。第一半导体结构的占地面积大该第二半导体结构的占地面积。
3、根据本公开的另一实施例，提供一种半导体装置，包括具有第一有源面的第一半导体结构以及具有第二有源面的第二半导体结构。第二半导体结构的第二有源面向第一半导体结构的第一有源面。第一半导体结构接合于第二半导体结构。其中第一半导体结构的第一有源面包括钛。
4、根据本公开的又一实施例，提供一种用于形成半导体装置的方法，包括：在第一半导体层上形成第
5、为了对本公开的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附图详细说明如下。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，该第一半导体结构包括：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，该第一半导体结构包括在该第一接合垫上的一氧化膜与在该氧化膜中的一导电部，该导电部介于该第一半导体结构的该第一接合垫与该第二半导体结构的该第二接合垫之间。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，该导电部包括钛、氮化钛、钽、氮化钽、钴、钼、铬、锰或硅。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，该氧化膜包括MSiOx，M包括Ti、TiN、Ta、TaN、Co、Mo、Cr、Mn或Si，x大于零。
6.一种用于形成半导体装置的方法，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，形成该氧化膜与该导电部的步骤包括：
8.根据权利要求7所述的方法，还包括：
9.根据权利要求6所述的方法，还包括：
10.根据权利要求9所述的方法，还包括：
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，该第一半导体结构包括：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，该第一半导体结构包括在该第一接合垫上的一氧化膜与在该氧化膜中的一导电部，该导电部介于该第一半导体结构的该第一接合垫与该第二半导体结构的该第二接合垫之间。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，该导电部包括钛、氮化钛、钽、氮化钽、钴、钼、铬、锰或硅。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：李岱萤，吕政宪，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。