【技术实现步骤摘要】
本技术涉及igbt，具体地，涉及一种一体式母排端子及igbt侧框。
技术介绍
1、igbt(绝缘栅双极晶体管)作为一种功率半导体器件，广泛应用于轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车和新能源装备等领域，具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点。
2、igbt模块通常包括功率模块和igbt侧框，其中igbt侧框对功率模块起到承载、连接和保护的作用，功率模块需要通过igbt侧框实现安装于外部的功能区域，且igbt侧框内设有连接端子，通过连接端子实现功率模块与功能区域电性连接。例如公开号为cn115513163a所公开的一种功率模块正负母排的优化结构，其侧框内的正母排与负母排为间隔设置，达到了减少由杂散电感引起的浪涌电压，避免功率模块被击穿的效果，但由于正母排与负母排上电流较大，当正母排或负母排意外受到外力发生形变后会使得其间隔减小，此时正母排与负母排均流通有大电流，正母排和负母排间的间隔减小发生会产生电弧现象，使得正母排或负母排被大电流击穿而导致短路或起火，稳定性差。同时，直接将正母排和负母排放入注塑模具内注塑形成igbt侧...
【技术保护点】
1.一种一体式母排端子，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一体式母排端子，其特征在于，所述第一主体(21)和所述第二主体(31)间的任一处间距均相等。
3.根据权利要求1所述的一体式母排端子，其特征在于，所述包胶壳体件(1)相对的两面分别设有凹槽(11)，所述第一主体(21)和所述第二主体(31)分别一体成型于所述包胶壳体件(1)两面的所述凹槽(11)内。
4.根据权利要求3所述的一体式母排端子，其特征在于，所述凹槽(11)内间隔设有多个限位柱(12)，所述第一主体(21)和所述第二主体(31)对应所述限位柱(12)的位置...
【技术特征摘要】
1.一种一体式母排端子，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一体式母排端子，其特征在于，所述第一主体(21)和所述第二主体(31)间的任一处间距均相等。
3.根据权利要求1所述的一体式母排端子，其特征在于，所述包胶壳体件(1)相对的两面分别设有凹槽(11)，所述第一主体(21)和所述第二主体(31)分别一体成型于所述包胶壳体件(1)两面的所述凹槽(11)内。
4.根据权利要求3所述的一体式母排端子，其特征在于，所述凹槽(11)内间隔设有多个限位柱(12)，所述第一主体(21)和所述第二主体(31)对应所述限位柱(12)的位置均开设有定位孔(211)。
5.根据权利要求1所述的一体式母排端子，其特征在于，所述包胶壳体件(1)由绝缘材料制得。
6.根据权利要求1所述的一体式母排端子，其特征在于，所述第一母排(22)和所述第二母排(32)的数量均为三个，所述第一母排(22)和所述第二母排(32)间隔交替且并线设置。
7.根据权利要求6所述的一体式母排端子，其特征在于，所述第一端子(23)和所述第二端子(33)的数量均为六个，每一所...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐晶晶，高桥义彦，
申请(专利权)人：惠州三力协成精密部件有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。