一种石墨烯量子点修饰非化学计量比氧化锡复合光催化剂的制备方法技术

本发明专利技术属于复合光催化剂技术领域，公开了一种石墨烯量子点修饰非化学计量比氧化锡复合光催化剂的制备方法。该制备方法如下：一、将一定浓度的锡酸钠溶液放入H型电解池中，电解池以隔膜分开；二、通过硝酸或醋酸调节电解液的pH值；三、将高纯石磨电极插入电解池的两极中，在恒压或恒流模式下维持一定时间，通电过程中控制电解池中液体的温度及pH值；四、将步骤三得到的粉体过滤后清洗，烘干即得石墨烯碳量子点修饰非化学计量比氧化锡复合光催化剂。本公开方法制备的石墨烯量子点修饰非化学计量比氧化锡复合光催化剂的形貌呈现类似海胆状，制备方法具有操作简单、成本低廉、且具有较好的重复性,得到的复合半导体光催化剂解决了传统光催化剂降解罗丹明B、重金属离子还原效率低、重复使用性差等问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种氧空位缺陷型石墨烯量子点修饰非化学计量比氧化锡复合光催化剂的制备方法。

技术介绍

1、加快发展方式绿色转型，推动经济社会发展绿色化、低碳化是实现高质量发展的关键环节。高效转换和储存太阳能是解决能源和环境问题的理想途径之一，契合“双碳”战略需求。半导体光催化技术通过利用太阳光来驱动一系列重要的化学反应，将低密度、不可存储的太阳能转化成高密度、可存储的化学能，是一种理想的太阳能转化和利用技术。开发廉价、稳定、高效的光催化剂是实现光催化技术规模化利用太阳能的关键，也是当前光催化领域研究的热点和难点。氧化锡是具有良好导电性的半导体，具有良好的电子-空穴分离效率，然而,氧化锡的禁带较宽，导致其可见光催化活性不理想。基于氧空位缺陷改善性能是针对上述问题的公认有效策略。宽带隙半导体具有合适的导带位置可有效延长光生电子的寿命并维持其热力学能量,从而有效促进电荷分离。因此,在sno2上引入氧空位缺陷和石墨烯量子点提升电子的迁移效率和空穴数量,两者协同促进了光电子转移和还原反应,进而提高其光催化活性，在太阳能催化转化方面显示出巨大的潜力。改性后的氧化锡可广泛本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种石墨烯量子点修饰非化学计量比氧化锡复合光催化剂的制备方法，按照以下步骤进行：

【技术特征摘要】

1.一种石墨烯量子点修饰非化学计量比氧化锡...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘刚，李宇涵，刘子然，刘欣美，杨志韬，
申请(专利权)人：哈尔滨理工大学，
类型：发明
国别省市：