【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于相控阵雷达，特别是涉及一种气密尖端钝化同轴线-微带线-带状线过渡结构。
技术介绍
1、在天线输入端，功率合成输出端等场景下，常常需要用到电磁场模式转换结构。匹配良好的转换结构可以满足低功率工作要求，但高功率工作时，若电场强度接近空气的击穿场强，则会发生打火现象，严重时会烧毁器件。
2、同轴线-微带线过渡结构、微带线-带状线过渡结构是常用的电磁场模式转换结构，在文献中有诸多形式的介绍。但同轴线-带状线过渡结构的资料相对较少，适用于高功率传输的结构资料更为稀少。在中国专利文献cn111769411b中记载了一种与复合材料带状线压接连接的射频同轴连接器，但装配工艺较为复杂，长期使用压接处连接可靠性降低，尤其在大功率工作、电场强度接近空气的击穿场强时，内部缝隙处的空气容易发生打火现象。
技术实现思路
1、本专利技术目的在于提供一种气密尖端钝化同轴线-微带线-带状线过渡结构，通过构成输入端微带线至带状线的变换多级结构和电子元器件密封胶灌注进行气密封，提高了过渡结构的耐功率性。
2、为了实现本专利技术目的，本专利技术提供一种气密尖端钝化同轴线-微带线-带状线过渡结构，所述结构包括：同轴连接器、底板、盖板、介质板；
3、所述底板位于所述介质板下方，所述盖板位于所述介质板上方；
4、所述底板和所述盖板以及所述介质板靠近所述同轴连接器的一侧平齐。
5、所述同轴连接器包括法兰、绝缘子、内导体、外导体；
6、所述法兰和
7、所述介质板为三层金属板结构，且周边贯穿有金属化通孔，其靠近所述同轴连接器的部分为输入端。
8、所述介质板的三层金属板结构，包括上层金属板、中间层金属板和下层金属板；
9、每层金属板之间填充有介质；
10、所述上层金属板的输入端部分和所述盖板及上层介质的一部分为镂空结构；
11、所述中间层金属板与所述内导体固定连接。
12、所述中间层金属板的输入端部分与所述下层金属板形成微带线结构；
13、所述中间层金属板的非输入端部分与所述上层金属板和所述下层金属板形成带状线结构。
14、所述微带线结构距离所述法兰的最近距离为d，0.12mm＜d＜0.05λ，λ为微带线介质波长；
15、所述微带线结构至所述带状线结构的变换为多级结构。
16、所述多级结构为第一级倒圆角，后级逐级变窄，倒角半径为r，0.2mm＜r＜0.05λ。
17、所述盖板、所述介质板、所述底板，通过螺钉固定连接；
18、所述法兰、盖板侧面、底板侧面，通过螺钉固定连接。
19、所述法兰、所述盖板侧面、所述底板侧面通过螺钉固定后，在所述输入端形成空腔，在所述空腔灌入电子元器件密封胶并固化。
20、建立所述内导体焊接到所述输入端的仿真模型，所述电子元器件密封胶的材料参数按说明书输入，使用仿真软件优化所述多级结构，改善输入驻波及插入损耗。
21、与现有技术相比，本专利技术的显著进步在于：(1)本专利技术通过输入端微带线远离同轴连接器法兰，输入端微带线第一级倒圆角，尖端钝化，电子元器件密封胶灌注进行气密封，显著提升了过渡结构的耐功率性和安全性；(2)本专利技术的输入端微带线至带状线的变换为多级结构，使用仿真软件优化整体尺寸，更易使输入驻波小于1.5；(3)本专利技术的同轴线-微带线-带状线的过渡结构紧凑，螺钉固定使得装配工艺简单，焊接固定提高结构可靠性，电子元器件密封胶成本低。
22、为更清楚说明本专利技术的功能特性以及结构参数，下面结合附图及具体实施方式进一步说明。
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1.一种气密尖端钝化同轴线-微带线-带状线过渡结构，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的气密尖端钝化同轴线-微带线-带状线过渡结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的气密尖端钝化同轴线-微带线-带状线过渡结构，其特征在于，
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【技术特征摘要】
1.一种气密尖端钝化同轴线-微带线-带状线过渡结构，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的气密尖端钝化同轴线-微带线-带状线过渡结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的气密尖端钝化同轴线-微带线-带状线过渡结构，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的气密尖端钝化同轴线-微带线-带状线过渡结构，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的气密尖端钝化同轴线-微带线-带状线过渡结构，其特征在于，
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘朋朋，谢磊，杨之洲，刘洪，王康，
申请(专利权)人：中国船舶集团有限公司第七二四研究所，
类型：发明
国别省市：
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