【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种图像传感器及其制备方法。
技术介绍
1、互补式金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，cmos)图像传感器具有成本低、功耗低和工艺兼容性好等优点，被广泛应用于消费、监控和工业等各个领域中。在cmos图像传感器的应用端中，存在两个重要的评价参数：宽动态范围和自动对焦。其中，宽动态范围可以使得图像中的明暗各处细节在同一场景下都可以展示出来，自动对焦则是可以快速地进行对焦功能。目前的图像传感器中，难以同时实现宽动态范围和自动对焦功能。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种图像传感器及其制备方法，能够同时实现宽动态范围和自动对焦功能，还能够提高图像传感器的灵敏度，提高图像传感器的质量。
2、为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的。
3、本专利技术提供一种图像传感器，至少包括：
4、像素阵列，包括多个按照预设阵列排
【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，每个所述第一透镜的覆盖面积大于每个所述光电二极管所占的面积。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，每个所述第二透镜的覆盖面积小于每个所述光电二极管所占的面积。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第二透镜，与相邻四个所述第一透镜之间互相接触。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述彩膜层包括多个第一彩膜层，多个所述第一彩膜层设置在每个所述第一透镜和所述像素阵列之间。
6.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，每个所述第一透镜的覆盖面积大于每个所述光电二极管所占的面积。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，每个所述第二透镜的覆盖面积小于每个所述光电二极管所占的面积。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第二透镜，与相邻四个所述第一透镜之间互相接触。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述彩膜层包括多个第一彩膜层，多个所述第一彩膜层设置在每个所述第一透镜和所述像素阵列之间。
6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述彩膜层还包括多个第二彩膜层，多个所述第二彩膜层设置在每个所述第二透镜和所述像素阵列之间。
7.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，对于同一个所述第二透镜...
【专利技术属性】
技术研发人员：张维，范春晖，奚鹏程，李岩，夏小峰，生驹贵英，赵庆贺，张莉玮，
申请(专利权)人：合肥海图微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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