一种厚度可控的二维过渡金属氧化物薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种厚度可控的二维过渡金属氧化物（TMOs）薄膜的制备方法。其通过将用于二维TMOs生长的过渡金属氧化物前驱体和碱金属盐混合放置于衬底下方的刚玉舟内，然后经加热使混合粉末反应、熔融，再通过控制降温速率，从而在衬底上得到厚度可控的二维TMOs薄膜。该方法操作简单方便，重复性好，适用性广，可以实现大面积二维TMOs薄膜的制备，对二维TMOs的应用及后续研究具有重要意义，且制备出的TMOs薄膜结晶性良好、横向尺寸较大，为后续器件制备奠定了基础。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路制造，具体涉及一种厚度可控的二维过渡金属氧化物（tmos）薄膜的制备方法。

技术介绍

1、半导体技术是现代社会发展的基石，近年来，半导体技术的发展几乎遵循着摩尔定律，但随着芯片上晶体管发展到一定的数目，摩尔定律能否延续面临着巨大的挑战。随着2004年，石墨烯首次被发现，开启了人们对于二维材料探索的大门。二维材料可以分为层状二维材料和二维非层状材料两类。非层状材料通过在三维方向上的化学键合形成，并在表面产生不饱和的悬空键，从而诱导出高活性和高能表面，使其具备了高效的催化能力和能量储存性能。此外，二维非层状材料具有块状结构和二维结构的性质和特点，从而表现出丰富而独特的物理现象。

2、二维非层状材料包括金属、过渡金属氧化物（tmos）、有机-无机钙钛矿等，其中tmos由于具有化学稳定性高、成本低廉、折射率高和无毒等优点而受到广泛关注。大多数tmos都具有很强的层间离子键，在其3d内部没有明显的分层结构。但由于块体结构的限制，在实际应用中三维过渡金属氧化物（3d-tmos）通常仅有块体表面最外层的原子和活性位点可以发挥作用，而其他本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种厚度可控的二维过渡金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的二维过渡金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1）所述衬底选用二氧化硅/硅、云母、蓝宝石、碳酸锶、氮化镓，氧化钛、氧化铪、氧化钒、氮化硅、碳化硅、氧化铝、金属片中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的二维过渡金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2）中所用过渡金属氧化物前驱体粉末和碱金属盐粉末的质量比为0.1~10。

4.根据权利要求1或3所述的二维过渡金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所用过渡金属氧化物前驱体包括MoO2、MoO3、WO...

【技术特征摘要】

1.一种厚度可控的二维过渡金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的二维过渡金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1）所述衬底选用二氧化硅/硅、云母、蓝宝石、碳酸锶、氮化镓，氧化钛、氧化铪、氧化钒、氮化硅、碳化硅、氧化铝、金属片中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的二维过渡金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2）中所用过渡金属氧化物前驱体粉末和碱金属盐粉末的质量比为0.1~10。

4.根据权利要求1或3所述的二维过渡金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所用过渡金属氧化物前驱体包括moo2、moo3、wo2、v2o5、mno2中的任意一种。

5.根据权利要求1或3所述的二维过渡金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所用碱金属盐包括k2moo4、na2moo4、k2moo7、na2moo7、k2mo3o...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙捷，邓俐颖，李洋，闫彩红，王星辉，潘魁，张恺馨，林畅，严群，郭太良，
申请(专利权)人：闽都创新实验室，
类型：发明
国别省市：