具有反射结构的太阳能电池制造技术

一种具有反射结构的太阳能电池，包括堆栈的正面电极、Ｐ型层、本征层、Ｎ型层以及背面电极，其特征在于：Ｎ型层为低折射率材料层，且低折射率材料层的折射率低于本征层的折射率。另外，Ｎ型层还可以是一种多层结构。这个多层结构是由多个以低折射率与高折射率互相堆栈的膜所构成，且于多层结构中与本征层接触的是低折射率膜，其中低折射率膜的折射率低于本征层的折射率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是涉及一种太阳能电池，且特别是涉及一种具有反射结构的太阳能电池。
技术介绍
太阳能是一种具有无污染且取的不尽的能源，因此在遭遇石化能源所面临的污染 与短缺的问题时，如何有效利用太阳能源已经成为最受瞩目的焦点。其中，因太阳能电池 (solar cell)可直接将太阳能转换为电能，而成为目前运用太阳能源的发展重点。 而目前太阳能电池中的非晶硅(a-Si)薄膜商品有两个问题，第一是照光稳定性 问题、第二是只能吸收波长小于800nm的太阳光。 因此，需找寻其它能够提升效率的方法。而减薄氢化非晶硅(a-Si:H)光电转换 层的厚度，与堆栈吸收长波长的微晶硅(PC-Si)薄膜太阳能电池成为堆栈式太阳能电池 (tandem solar cell)被认为是目前提升效率的最佳方式。 然而，减薄光电转换层的厚度会使光吸收度降低，而传统的堆栈式太阳能电池 (tandem solar cell)，因两个电池的折射率系数相近，皆为硅层，折射率约为4，因此光经 过两个电池之间的界面时，并不会产生反射的界面，直到光到达银层才会反射至底电池微晶硅层。
技术实现思路
本专利技术提供一种具有反射结构的太阳能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有反射结构的太阳能电池，包括：堆栈的正面电极、Ｐ型层、本征层、Ｎ型层以及背面电极，其特征在于：该Ｎ型层为低折射率材料层，且该低折射率材料层的折射率低于该本征层的折射率。

【技术特征摘要】
一种具有反射结构的太阳能电池，包括堆栈的正面电极、P型层、本征层、N型层以及背面电极，其特征在于该N型层为低折射率材料层，且该低折射率材料层的折射率低于该本征层的折射率。2. 如权利要求1所述的具有反射结构的太阳能电池，其特征在于该低折射率材料层 与相接的该本征层的折射率差大于或等于2。3. 如权利要求1所述的具有反射结构的太阳能电池，其特征在于该低折射率材料层的厚度小于150nm。4. 如权利要求1所述的具有反射结构的太阳能电池，其特征在于该低折射率材料层的材料包括N型氧化硅、碳化硅、氮化硅、非晶硅或微晶硅。5. 如权利要求1所述的具有反射结构的太阳能电池，其特征在于该低折射率材料层为N型氧化硅层时，该N型氧化硅层的导电度大于10-6S/cm。6. 如权利要求l所述的具有反射结构的太阳能电池，其特征在于还包括一组底电池， 位于该N型层与该背面电极之间，该底电池包括堆栈的底电池P型层、底电池本征层以及底 电池N型层。7. 如权利要求6所述的具有反射结构的太阳能电池，其特征在于该低折射率材料层 的折射率低于该底电池P型层的折射率。8. —种具有反射结构的太阳能电池，包括堆栈的正面电极、P型层、本征层、N型层以 及背面电极，其特征在于该N型层为多层结构，该多层结构是由多个以低折射率与高折射率互相堆栈的膜所构成，且于该多层结构中与该本征层接触的是低折射率膜，其中该低折射率膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员：方宣尹，郭昭显，黄建福，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]