【技术实现步骤摘要】
本公开内容的实施方式总体上涉及用于形成电子器件的方法。特定地，本公开内容的一些实施方式提供自底向上金属间隙填充。
技术介绍
1、微电子器件的制造通常涉及复杂的工艺顺序，需要在半导体、电介质和导电基板上执行数百个单独的工艺。这些工艺的示例包括氧化、扩散、离子注入、薄膜沉积、清洁、蚀刻、光刻以及其它操作。每个操作都是耗时且昂贵的。
2、随着微电子器件的关键尺寸不断减小，这些器件在基板上的设计和制造变得越来越复杂。关键尺寸和工艺均匀性的控制变得越来越重要。复杂的多层叠层涉及对关于厚度的关键尺寸、粗糙度、应力、密度和潜在缺陷的精确工艺监测。用于形成器件的工艺配方中的多个增量工艺确保了维持关键尺寸。然而，每个配方工艺可以利用一个或多个处理腔室，这增加了用于在处理系统中形成器件的附加时间，并且还提供了用于形成缺陷的附加机会。因此，每个工艺增加了用于完成的微电子器件的总制造成本。
3、另外，随着这些器件上的关键尺寸缩小，过去的制造技术遇到新的障碍。例如，当制备内衬和/或成核层以生长金属间隙填充时，内衬和/或成核层在间隙的开口附...
【技术保护点】
1.一种用于处理半导体器件的方法，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述氢等离子体为导电耦合等离子体(CCP)。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述氢等离子体由氢气(H2)形成。
4.如权利要求3所述的方法，其中以至少300sccm的流率提供氢气。
5.如权利要求3所述的方法，其中所述氢气的分压为至少100mTorr。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述金属层为钨成核层。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述金属膜包含钨。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述方法在所...
【技术特征摘要】
1.一种用于处理半导体器件的方法，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述氢等离子体为导电耦合等离子体(ccp)。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述氢等离子体由氢气(h2)形成。
4.如权利要求3所述的方法，其中以至少300sccm的流率提供氢气。
5.如权利要求3所述的方法，其中所述氢气的分压为至少100mtorr。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述金属层为钨成核层。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述金属膜包含钨。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述方法在所述金属层的所述第一部分上提供小于20秒的孵化延迟。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述方法在所述金属层的所述第一部分上提供在约至约的范围内的孵化延迟。
10.一种自底向上金属间隙填充的方法，所述方法包括：
11.如权利要求10所述的方法，其中所述含...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨宗翰，刘震，高勇谦，迈克尔·S·杰克逊，王荣钧，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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