【技术实现步骤摘要】
本技术涉及太阳能光伏逆变器，具体涉及一种半桥防直通电路、半桥防直通装置以及电子设备。
技术介绍
1、普通的半桥电路在某一时刻上下两个桥臂的开关管出现同时导通的现象，此时会构成短路；目前防直通解决措施上主要采用对驱动脉冲宽度的最大值加以限制或从拓扑上解决问题。
2、在开关管的开启和关闭过程中，由于器件的延迟时间等因素，会产生死区时间。死区时间的存在会影响逆变的效率和质量。
技术实现思路
1、本技术的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种半桥防直通电路、半桥防直通装置以及电子设备，具有较高的效率以及防止半桥电路直通现象的发生优势。
2、为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：
3、一种半桥防直通电路，包括半桥电路和驱动电路，所述半桥电路包括第一开关管和第二开关管；所述驱动电路用于响应输入的a、b两路相位错开180度pwm输入信号，控制所述第一开关管和第二开关管的导通或关闭。
4、进一步的，所述半桥电路还包括第一电容和第二电容，所述第一电容的第一端连接所述第一开关管，所述第一电容的第二端接地；所述第二电容的第一端连接所述第二开关管，所述第二电容的第二端接地。
5、进一步的，所述驱动电路包括第一开关驱动电路和第二开关驱动电路；
6、所述第一开关驱动电路包括第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述第一电阻的第一端接收a路pwm输入信号，所述第一电阻的第二端连接所述第一开关管的第一端；所述第二电阻的第一端接收b路pwm输入信
7、所述第二开关驱动电路包括第四电阻、第五电阻和第六电阻，所述第四电阻的第一端接收b路pwm输入信号，所述第四电阻的第二端连接所述第二开关管的第一端；所述第五电阻的第一端接收a路pwm输入信号，所述第五电阻的第二端连接所述第二开关管的第二端；所述第六电阻的第一端连接所述第二开关管的第二端，所述第六电阻的第二端接地。
8、进一步的，所述第一开关管为n型mos管，所述第一开关管的第一端为漏极，所述第一开关管的第二端为栅极，所述第一开关管的第三端为源极。
9、进一步的，所述第二开关管为n型mos管，所述第二开关管的第一端为漏极，所述第二开关管的第二端为栅极，所述第二开关管的第三端为源极。
10、进一步的，所述半桥防直通电路还包括死区时间调整电路，所述死区时间调整电路包括第一节点和第二节点；
11、所述第一节点与所述第一开关驱动电路连接，用于当所述第一节点的电压大于预设基准电压时，控制所述第一开关管进入导通状态，当所述第一节点的电压小于预设基准电压时，控制所述第一开关管进入截止状态；
12、所述第二节点与所述第二开关驱动电路连接，用于当所述第二节点的电压大于预设基准电压时，控制所述第二开关管进入导通状态，当所述第二节点的电压小于预设基准电压时，控制所述第二开关管进入截止状态。
13、进一步的，所述pwm输入信号的开关频率为50khz。
14、为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：
15、一种半桥防直通装置，其特征在于，包括控制电路以及如上所述的半桥防直通电路，所述控制电路与所述半桥防直通电路的输入端电连接，用于产生a、b两路相位错开180度pwm输入信号并通过所述输入端输入所述半桥防直通电路。
16、进一步的，所述装置还包括反馈电路，所述反馈电路分别与所述半桥防直通电路的输出端和所述控制电路连接，用于将所述半桥电路的输出电压和输出电流反馈至所述控制电路。
17、为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：
18、一种电子设备，其特征在于，包括如上所述的半桥防直通装置。
19、采用上述技术方案后，本技术有益效果为：
20、本申请通过pwm控制开关管的导通和截止，可以实现对负载的精确控制，满足不同工作条件下的需求；同时，以开关管作为开关元件，有低导通电阻和快速开关速度，具有较高的效率，还能提高半桥电路在工作时的稳定性；本申请的半桥防直通电路的电路简单，成本低廉，可实现性高。
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1.一种半桥防直通电路，包括半桥电路和驱动电路，其特征在于，所述半桥电路包括第一开关管和第二开关管；所述驱动电路用于响应输入的A、B两路相位错开180度PWM输入信号，控制所述第一开关管和第二开关管的导通或关闭。
2.根据权利要求1所述的半桥防直通电路，其特征在于，所述半桥电路还包括第一电容和第二电容，所述第一电容的第一端连接所述第一开关管，所述第一电容的第二端接地；所述第二电容的第一端连接所述第二开关管，所述第二电容的第二端接地。
3.根据权利要求1所述的半桥防直通电路，其特征在于，所述驱动电路包括第一开关驱动电路和第二开关驱动电路；
4.根据权利要求3所述的半桥防直通电路，其特征在于，所述第一开关管为N型MOS管，所述第一开关管的第一端为漏极，所述第一开关管的第二端为栅极，所述第一开关管的第三端为源极。
5.根据权利要求3所述的半桥防直通电路，其特征在于，所述第二开关管为N型MOS管，所述第二开关管的第一端为漏极，所述第二开关管的第二端为栅极，所述第二开关管的第三端为源极。
6.根据权利要求3所述的半桥防直通电路，其
7.根据权利要求1所述的半桥防直通电路，其特征在于，所述PWM输入信号的开关频率为50KHz。
8.一种半桥防直通装置，其特征在于，包括控制电路以及如权利要求1至7中任一项所述的半桥防直通电路，所述控制电路与所述半桥防直通电路的输入端电连接，用于产生A、B两路相位错开180度PWM输入信号并通过所述输入端输入所述半桥防直通电路。
9.根据权利要求8所述的半桥防直通装置，其特征在于，所述装置还包括反馈电路，所述反馈电路分别与所述半桥防直通电路的输出端和所述控制电路连接，用于将所述半桥电路的输出电压和输出电流反馈至所述控制电路。
10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求8或9所述的半桥防直通装置。
...【技术特征摘要】
1.一种半桥防直通电路，包括半桥电路和驱动电路，其特征在于，所述半桥电路包括第一开关管和第二开关管；所述驱动电路用于响应输入的a、b两路相位错开180度pwm输入信号，控制所述第一开关管和第二开关管的导通或关闭。
2.根据权利要求1所述的半桥防直通电路，其特征在于，所述半桥电路还包括第一电容和第二电容，所述第一电容的第一端连接所述第一开关管，所述第一电容的第二端接地；所述第二电容的第一端连接所述第二开关管，所述第二电容的第二端接地。
3.根据权利要求1所述的半桥防直通电路，其特征在于，所述驱动电路包括第一开关驱动电路和第二开关驱动电路；
4.根据权利要求3所述的半桥防直通电路，其特征在于，所述第一开关管为n型mos管，所述第一开关管的第一端为漏极，所述第一开关管的第二端为栅极，所述第一开关管的第三端为源极。
5.根据权利要求3所述的半桥防直通电路，其特征在于，所述第二开关管为n型mos管，所述第二开关管的第一端为漏...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄逸文，周洪亮，高鑫鑫，
申请(专利权)人：东莞市海能电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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