【技术实现步骤摘要】
氧化镩研磨剂以^fe的研磨方法本申请是申请日为1997年9月30日，国家申请号为97199370.X,国际 申请号为PCT/JP97/03490，专利技术名称为氧化铈研磨剂以及基板的研磨方 法专利技术的分案申请。本专利技术涉及氧化铈研磨剂以;s^&的研磨方法.传统上在半导体装置的制造工艺中， 一般使用胶态二氧化硅系的研磨剂作为化学机械研磨剂以便把等离子体CVD (化学气相沉积)、低压 CVD等方法形成的Si02绝缘膜等无机绝缘膜层进行平整化.胶态二氧化硅系研磨剂的制造方法是，利用热分解四氯化珪等方法使二氧化珪颗粒 长大、利用氨水等不含碱金属的碱性溶液调整pH值.然而，这种研磨剂 的技术问题是，无机绝缘膜的研磨速度不充分，实际使用该研磨剂时必 须使用低研磨速度.一方面，可以使用氧化辟研磨剂进行光掩模用玻璃的表面研磨.氧 化辟颗粒与二氧化珪颗粒、氧化铝颗粒等相比硬度低，从而难以划伤研 磨表面，故能用于抛光研磨.另外，众所周知，氧化肺是一种强氧化 剂，故具有化学活泼性。有效地利用该优点，可以把氧化铈适宜地用作 绝缘膜用化学机械研磨剂.但是，如果把光掩模玻璃表面研磨...
【技术保护点】
一种氧化铈颗粒，其特征在于，用于化学机械研磨，该氧化铈颗粒为由多个初级颗粒构成的多晶颗粒，所述初级颗粒通过粉末Ｘ射线Ｒｉｅｔｖｅｌｔ法（ＲＩＥＴＡＮ－９４）测定的表示各向同性的微小形变的结构参数Ｙ值为０．０１－０．７０。
【技术特征摘要】
JP 1996-9-30 1996-258766;JP 1996-9-30 1996-258767;1.一种氧化铈颗粒，其特征在于，用于化学机械研磨，该氧化铈颗粒为由多个初级颗粒构成的多晶颗粒，所述初级颗粒通过粉末X射线Rietvelt法(RIETAN-94)测定的表示各向同性的微小形变的结构参数Y值为0.01-0.70。2. 根据权利要求l所述的氧化铈颗粒，其特征在于，该氧化铈颗粒是 将碳酸铈烧成得到的颗粒。3. —种氧化铈研磨剂，其特征在于，该研磨剂含有将氧化铈颗粒分散 在介质中形成的浆料，所述氧化铈颗粒为由多个初级颗粒构成的多晶颗粒， 所述初级颗粒通过粉末X射线Rietvelt法(RIETAN - 94)测定的表示各 向同性的微小形变的结构参数Y值为0.01 - 0.70 。4. 根据权利要求3所述的氧化铈研磨剂，其特征在于，所述氧化铈颗 粒在所述浆料中的粒径中央值为150 - 600纳米。5. 根据权利要求3所述的氧化铈研磨剂，其特征在于，所述氧化铈颗 粒所述初级颗粒的粒径中央值30 - 250纳米。6. 根据权利要求3所述的氧化铈研磨剂，其特征在于，所述氧化铈颗 粒在所述浆料中的粒径中央值为150 - 600纳米，且所述氧化铈颗粒所述 初级颗粒的粒径中央值30 - 250纳米。7. 根据权利要求3所述的氧化铈研磨剂，其特征在于，所述氧化铈颗 粒在所述浆料中的粒径中央值为150 - 350纳米，且所述氧化铈颗粒所述 初级颗粒的粒径中央值IOO - 2...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉田诚人，芦泽寅之助，寺崎裕树，仓田靖，松泽纯，丹野清仁，大槻裕人，
申请(专利权)人：日立化成工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]
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