【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及比较器，尤其涉及一种低功耗的高速比较器电路。
技术介绍
1、传统的双尾动态比较器在预放大阶段,fp、fn两个节点的电荷被直接通过mtail1、m1、m2构成的回路全部放电到地，在接下来的预放大阶段被重新充电到vdd，引起功耗增加,在动态锁存模块，由于inn和inp长时间工作在比较状态,输出端outp、outn的电位随着inn和inp的大小在vdd和gnd之间不断切换，每切换一次，尾电流端的电位由vdd放电至m7、m8的阈值电压或者由阈值电压充电至vdd，导致功耗增加，速率降低。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种低功耗的高速比较器电路，以解决现有技术中的技术问题。
2、为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：
3、一种低功耗的高速比较器电路，包括交叉耦合对管、预放大器和动态锁存器，所述预放大器包括晶体管mp1、mp2、mn8、mn9、mn10、mn11和mn12，所述mp1和mp2的发射极相接，所述晶体管mp1和mp2的基极相接，所述所述晶体管mp1和mp2的集电极和晶体管mn8的基极电性连接，所述晶体管mn8、mn10的发射极之间电性连接，所述晶体管mn9、mn8的发射极和集电极之间电性连接，所述mn10和mn11的发射极和集电极之间电性连接，所述晶体管mn9的基极外接有晶体管mp3，所述晶体管mn10的基极外接有晶体管mp4，所述晶体管mp4的基极、集电极分别和晶体管mp3的集电极、基极电性连接。
...【技术保护点】
1.一种低功耗的高速比较器电路，包括交叉耦合对管、预放大器和动态锁存器，其特征在于，所述预放大器包括晶体管MP1、MP2、MN8、MN9、MN10、MN11和MN12，所述MP1和MP2的发射极相接，所述晶体管MP1和MP2的基极相接，所述所述晶体管MP1和MP2的集电极和晶体管MN8的基极电性连接，所述晶体管MN8、MN10的发射极之间电性连接，所述晶体管MN9、MN8的发射极和集电极之间电性连接，所述MN10和MN11的发射极和集电极之间电性连接，所述晶体管MN9的基极外接有晶体管MP3，所述晶体管MN10的基极外接有晶体管MP4，所述晶体管MP4的基极、集电极分别和晶体管MP3的集电极、基极电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种低功耗的高速比较器电路，其特征在于，所述晶体管MN9、MN10的基极分别和晶体管MP4、MP3的集电极电性连接。
3.根据权利要求1所述的一种低功耗的高速比较器电路，其特征在于，所述动态锁存器包括NMOS对管、晶体管MP3、MP4和MP5，所述晶体管MP5的集电极、发射极分别与晶体管MP3、MP4的发射极电性连接，所述NMO
4.根据权利要求1所述的一种低功耗的高速比较器电路，其特征在于，所述交叉耦合对管包括晶体管MN3、MN4、MN1和MN2，所述晶体管MN1、MN2的集电极分别与晶体管MP1和MP2的集电极相互连接，所述晶体管MN1、MN2的发射极分别与晶体管MN3和MN4的集电极相互连接，所述晶体管MN3和MN4的发射极并接后经晶体管MN5输出。
5.根据权利要求1所述的一种低功耗的高速比较器电路，其特征在于，由小信号分析得其预放大器的增益AV＝gmn1/(gmp1+gmp2-gmn3-gmn4)。
...【技术特征摘要】
1.一种低功耗的高速比较器电路，包括交叉耦合对管、预放大器和动态锁存器，其特征在于，所述预放大器包括晶体管mp1、mp2、mn8、mn9、mn10、mn11和mn12，所述mp1和mp2的发射极相接，所述晶体管mp1和mp2的基极相接，所述所述晶体管mp1和mp2的集电极和晶体管mn8的基极电性连接，所述晶体管mn8、mn10的发射极之间电性连接，所述晶体管mn9、mn8的发射极和集电极之间电性连接，所述mn10和mn11的发射极和集电极之间电性连接，所述晶体管mn9的基极外接有晶体管mp3，所述晶体管mn10的基极外接有晶体管mp4，所述晶体管mp4的基极、集电极分别和晶体管mp3的集电极、基极电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种低功耗的高速比较器电路，其特征在于，所述晶体管mn9、mn10的基极分别和晶体管mp4、mp3的集电极电性连接。
3.根据权利要求1所述的一种低功耗的高速比较器电...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡伟波，石方敏，
申请(专利权)人：江苏谷泰微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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