【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及纳米级催化剂材料制备领域,具体涉及一种阳离子掺杂的二维多孔纳米网状氮化钽的制备方法。
技术介绍
1、氮化钽(ta3n5)作为一种新型半导体材料,其理论带隙约为2.1ev,相比于tio2等传统光催化半导体材料的3.2ev宽带隙,其带隙更窄,可见光吸收范围更广。正由于其自身的性质优势,氮化钽可直接受太阳光激发发生载流子分离,更快捷有效的实现电子空穴跃迁,从而进行一系列高活性的光催化反应。因此近年来ta3n5被广泛地研究应用于光阳极材料以及光催化分解水产氢产氧等领域。目前为止所研究的其理论最大太阳能转化效率为15.9%,具有很大的清洁能源开发及光伏太阳能电池领域的应用价值。
2、相较于ta3n5优越的理论光催化活性,但其在实际应用中仍会被自身的特征结构缺陷和表面性质所限制。为解决这一难题,目前已被研究的改性方法有形貌调控、离子掺杂、异质结构建、表面修饰以及助催化剂负载。但对于ta3n5本身而言,提升光催化性能的最根本的方法是对其形貌结构的控制。
技术实现思路
1、为了克
...【技术保护点】
1.一种阳离子掺杂的二维多孔纳米网状氮化钽的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种阳离子掺杂的二维多孔纳米网状氮化钽的制备方法,其特征在于:在S1中,所述氧化石墨烯的质量为10-100mg,N,N二甲基甲酰胺的体积为25-45mL。
3.根据权利要求1所述的一种阳离子掺杂的二维多孔纳米网状氮化钽的制备方法,其特征在于:在S2中,加入5-15ml超纯水,加入的氯化钽与氧化石墨烯的质量比为40:1-10:1。
4.根据权利要求1所述的一种阳离子掺杂的二维多孔纳米网状氮化钽的制备方法,其特征在于:在S2中,所述
...【技术特征摘要】
1.一种阳离子掺杂的二维多孔纳米网状氮化钽的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种阳离子掺杂的二维多孔纳米网状氮化钽的制备方法,其特征在于:在s1中,所述氧化石墨烯的质量为10-100mg,n,n二甲基甲酰胺的体积为25-45ml。
3.根据权利要求1所述的一种阳离子掺杂的二维多孔纳米网状氮化钽的制备方法,其特征在于:在s2中,加入5-15ml超纯水,加入的氯化钽与氧化石墨烯的质量比为40:1-10:1。
4.根据权利要求1所述的一种阳离子掺杂的二维多孔纳米网状氮化钽的制备方法,其特征在于:在s2中,所述非贵金属无机盐为水硝酸镧、八水氯氧化锆、六水硝酸锌或六水硝酸镁,其金属阳离子与钽质量比为1%-3%。
5.根据权利要求1所述的一种阳离子掺杂的二维多孔纳米网状氮化钽的制备方法,其特征在于:在s2中,充分...
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