【技术实现步骤摘要】
本公开涉及发光器件领域，特别涉及一种发光二极管和发光二极管的制作方法。
技术介绍
1、发光二极管是一种半导体发光器件，可以应用在显示、照明等显示领域中。
2、相关技术提供了一种发光二极管，该发光二极管包括：依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；透明导电层，位于第二半导体层；银镜结构，位于所述第二半导体层上且覆盖透明导电层。
3、对于上述结构的发光二极管而言，如何进一步提高发光二极管的亮度是当前研究的一个重点。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种发光二极管和发光二极管的制作方法，可以提升发光二极管的亮度。所述技术方案如下：
2、一方面，提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：
3、依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；
4、透明导电层，所述透明导电层位于所述第二半导体层上，所述透明导电层具有多个第一通孔；
5、银镜结构，所述银镜结构位于所述第二半导体层上且覆盖所述透明导电层，所述银镜结构包括依次层...
【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述多个第一通孔(1040)阵列分布，所述多个第二通孔(1510)阵列分布。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一通孔(1040)在所述第二半导体层(103)上的投影的尺寸小于所述第二通孔(1510)在所述第二半导体层(103)上的投影的尺寸。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一通孔(1040)和所述第二通孔(1510)在所述第二半导体层(103)上的投影均为圆形。
5.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述多个第一通孔(1040)阵列分布，所述多个第二通孔(1510)阵列分布。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一通孔(1040)在所述第二半导体层(103)上的投影的尺寸小于所述第二通孔(1510)在所述第二半导体层(103)上的投影的尺寸。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一通孔(1040)和所述第二通孔(1510)在所述第二半导体层(103)上的投影均为圆形。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一通孔(1040)在所述第二半导体层(103)上的投影的半径为2-10μm，所述第二通孔(1510)在所述第二半导体层(103)上的投影的半径为4-30μm。
【专利技术属性】
技术研发人员：芮哲，吴俊磊，马国强，游云梦，田宇航，魏柏林，田艳红，
申请(专利权)人：京东方华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：
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