基于可控硅输入的过压保护装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及过压保护领域，具体涉及一种基于可控硅输入的过压保护装置，极大地提高了过压保护装置的可靠性。方案包括可控硅全桥模块、放电模块、耐受电压模块、分压模块以及触发模块，所述放电模块连接在输入电源的火线端(L)与零线端(N)之间，所述可控硅全桥模块由四个单向可控硅组成可控硅全桥电路，四个单向可控硅的控制端互相连接，火线端(L)连接在其中两个可控硅之间，零线端(N)连接在另外两个可控硅之间，耐受电压模块与可控硅全桥模块连接，分压模块分别与火线端(L)以及触发模块连接。本发明专利技术适用于过压保护。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及过压保护领域，具体涉及一种基于可控硅输入的过压保护装置。

技术介绍

1、现有过压保护器如cn109672141a公开的一种高速安全的交流过压保护器，由整流桥、运算放大器、运算放大器第一检测电阻、运算放大器第二检测电阻、运放电源第一分压电阻、运放电源第二分压电阻、滤波电容、稳压管、基准第一电阻、基准第二电阻、开关管、电路板组成，采用了双整流桥结构与开关管实现过压高速关断负载供电，高压过后瞬间恢复供电。该方案能极快地切断电路中出现的瞬间高压，当高压过后，瞬间自动恢复供电。但其可靠性差，效率低，寿命短。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种基于可控硅输入的过压保护装置，极大地提高了过压保护装置的可靠性，提高了效率，降低了能源消耗，同时增加了使用寿命。

2、本专利技术采取如下技术方案实现上述目的，本专利技术提供一种基于可控硅输入的过压保护装置，包括可控硅全桥模块、放电模块、耐受电压模块、分压模块以及触发模块，所述放电模块连接在输入电源的火线端l与零线端n之间，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.基于可控硅输入的过压保护装置，其特征在于，包括可控硅全桥模块、放电模块、耐受电压模块、分压模块以及触发模块，所述放电模块连接在输入电源的火线端(L)与零线端(N)之间，所述可控硅全桥模块包括第一单向可控硅(Q2)、第二单向可控硅(Q3)、第三单向可控硅(Q5)以及第四单向可控硅(Q6)，第二单向可控硅(Q3)的阴极与第一单向可控硅(Q2)的阳极连接，第一单向可控硅(Q2)的阴极与第四单向可控硅(Q6)的阴极连接，第四单向可控硅(Q6)的阳极与第三单向可控硅(Q5)阴极连接，第三单向可控硅(Q5)阴极与第二单向可控硅(Q3)的阳极连接，第一单向可控硅(Q2)、第二单向可控硅(Q3)、第...

【技术特征摘要】

1.基于可控硅输入的过压保护装置，其特征在于，包括可控硅全桥模块、放电模块、耐受电压模块、分压模块以及触发模块，所述放电模块连接在输入电源的火线端(l)与零线端(n)之间，所述可控硅全桥模块包括第一单向可控硅(q2)、第二单向可控硅(q3)、第三单向可控硅(q5)以及第四单向可控硅(q6)，第二单向可控硅(q3)的阴极与第一单向可控硅(q2)的阳极连接，第一单向可控硅(q2)的阴极与第四单向可控硅(q6)的阴极连接，第四单向可控硅(q6)的阳极与第三单向可控硅(q5)阴极连接，第三单向可控硅(q5)阴极与第二单向可控硅(q3)的阳极连接，第一单向可控硅(q2)、第二单向可控硅(q3)、第三单向可控硅(q5)以及第四单向可控硅(q6)的控制极相互连接，所述火线端(l)连接在第四单向可控硅(q6)的阳极与第三单向可控硅(q5)的阴极之间，所述零线端(n)连接在第一单向可控硅(q2)的阳极与第二单向可控硅(q3)的阴极之间，耐受电压模块连接在第三单向可控硅(q5)的阳极与第四单向可控硅(q6)的阴极之间，第四单向可控硅(q6)的阴极为电压输出端，分压模块分别与火线端(l)以及触发模块连接；

2.根据权利要求1所述的基于可控硅输入的过压保护装置，其特征在于，所述触发模块还包括第二电容(c2)，分压模块还通过第二电容(c2)接地。

3.根据权利要求1所述的基于可控硅输入的过压保护装置，其特征在于，所述触发模块还包括第一有极电容(ec1)，分压模块还通过第一有极电容(ec1)接地。

4.根据权利要求1所述的基于可控硅输入的过压保护装置，其特征在于，所述分压模块包括第二电阻(r2)、第六电阻(r6)、第十电阻(r10)、以及第一二极...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘海兵，
申请(专利权)人：深圳市威斯普科技有限公司，
类型：发明
国别省市：