关键工艺参数的提取制造技术

本发明专利技术涉及关键工艺参数的提取，提供了一种系统、方法与计算机可读取媒体，以用来提取与选出的装置参数有关的关键工艺参数。在一实施例中，使用基因地图分析来确定关键工艺参数。基因地图分析包括将高度相关的工艺参数分组，并确定群组与选出的装置参数的相关性。在一实施例中，与选出的装置参数有最大相关性的群组会被显示在相关性矩阵和／或基因地图中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种提取关键工艺参数的方法，特别涉及一种提取 与选出的装置参数有关的关键工艺参数的方法。
技术介绍
集成电路在晶片制造场所中通过多个工艺来产生。这些工艺与 相关制造工具可包含热氧化、扩散、离子植入、快速热处理(RTP)、 化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、磊晶形成/生长工艺、 烛刻工艺、孩i影工艺和/或在此领^^中已知的其它制造工艺与工具。 此外，制造工艺包括多个度量工艺，以用来监测与控制集成电路制 造优良率、质量与可靠度。在生产集成电路期间，制造工艺会产生大量数据。然而，负责 集成电路制造工艺与设备的工艺与设备工程师，仅能通过进行各种 实验(例如DOE)、或通过生产经验来确定制造工艺参数与集成电 路性能(例如对在半导体基板或晶片上制造的集成电路所做的测量)间的关系。累积此种数据与知识会耗用大量的资源。此外，仅 能对主动参数(例如气体流速)而无法对一皮动参ft (例如反射功率) 进行实验。另外，仍难以确定在一实验(例如在分批作业中)选出 的每一 参数对集成电路性能的影响。因此，需要一种能加强判断参数(例如一工艺参数)与集成电 路装置性能间的相关性的方法。
技术实现思路
提供了一种方法，包括选出装置参数与收集工艺数据。工艺数 据包含时序工艺数据，以及与多个工艺参数有关的数值。总结时序 工艺数据。进行相关性分析。相关性分析识别出关键参数，关键参 数包含在多个工艺参数中。关键工艺参数与选出的装置参数有关。 产生选出的装置参数的基因地图。还提供了 一种计算机可读取媒介。计算机可读取^某介包括确定 工艺参数的指令。这些指令包括接收工艺数据以及相应的装置性能 数据。工艺数据与第一、第二、第三、及第四工艺参数有关。总结 工艺数据。将第一、第二、第三、及第四工艺参数分组成第一群与 第二群。利用第一、第二、第三、及第四工艺参数间的相关性来进 行分组。产生用于第一群的相关性矩阵。产生用于装置参数的基因 地图。基因地图包括第一群与装置参数的相对相关性，以及第二群 与装置参数的相对相关性。还进一 步地提供了 一系统。此系统可被操作来收集制造数据。 制造数据包含时序数据。系统将总结此时序数据。确定第一制造参 数与第二制造参数间的相关性。还确定包括第 一制造参数及第二制 造参数的群组与集成电路性能间的相关性。产生示出群组与集成电 路性能间的相对相关性的基因地图。附图说明连同附图研读以下详细说明可最佳地理解本专利技术的方面。要强 调的是，依照产业所实施的标准，各特征并不按比例绘制。事实上， 为了讨论的清楚，各特征的尺寸可被任意放大或缩小。图1是示出了一种提取关键工艺参数方法的实施例的流程图2是示出了一计算机系统的实施例的方块图3是示出了一种相关性分析方法的实施例的流程图4是示出了用于图3的方法中的一阶层二元树的实施例的图式；图5是示出了一相关性矩阵的实施例的文件/画面图片(shot);以及图6是示出了一基因地图的实施例的文件/画面图片。 具体实施例方式要理解的是，在此提供具体实施例，以实例教授更广泛的专利技术概念，且本领域:技术人员将可容易地应用本专利技术的教导至其它方法 或设备。此外，要理解的是，在本专利技术中所讨论的方法与设备包含 一些已知的结构和/或工艺。因为这些结构与工艺在本领域中为众所 皆知的，将4又以一般的标准来4又述。本i兌明中会省略有些中间结构 和/或工艺，它们的内容仅仅是设计上的选择。此外，为了方便与实 例之用，在所有的附图中重复组件符号，重复并不意指在所有的附 图中，须组合任何的特征或步骤。参考图1,示出了一种用来提取关键工艺参数的方法100。方 法100起始于步骤102，在此选出一装置参数。装置参数包括与集 成电路有关的一参数，其包括一电性或物理参数，其可指出集成电 路装置性能。在一实施例中，在集成电路装置或其部分的晶片层测 试上，确定(例如测量)此装置参数的值。装置参数的实例包括Iddq (饱和电流的改变)、漏损参数、速度参数和/或本领域中已知的许 多其它装置参数。此方法随后进4亍到步骤104,在此，确定与选出的装置参凄t有 关的晶片测试参数。换句话说，进行相关性分析以确定影响步骤102 中选出的装置参数的一或多个晶片测试参数。 一参数对另 一参数的 影响可通过统计工具来测量，i者如I^值(确定系凄t)。与装置参凄t 相关的晶片测试参数在此可祐^见为关4走晶片测试参凄t。在一实 施例中，关键晶片测试参数为那些具有比选出的值更大的RM直的； 选出的数值使用的准则，诸如待被分析的工艺性能、被使用进行相 关性分析的资源、和/或那些本领域技术人员已知的其它考虑。相关 性分析包含基因地图分析，将在以下图3作进一步的描述。在其它 实施例中，各种统计工具与方法可净皮用来确定一个或多个关键:WAT 参数。晶片测试参数也可被视为晶片接受测试(WAT)参数。晶片 测试(例如WAT )工艺包括在半导体基板(例如晶片)上形成的集 成电路的晶片层电性测试，或测试结构的晶片层电性测试。WAT工 艺典型地包括在晶片上多个测试位置(例如探针位置)的晶片测试 参数的量测。探针位置被置于晶片的切割线或散置于集成电路装置 之间。晶片测试参凄t可包括电阻、电流和/或其它在此领域中已知参 数的测量。与晶片测试参数有关的数值在此被描述为WAT数据。 为了进行相关性分析，可收集来自多个晶片与相应装置性能(例如 装置参lt的凝:值)的WAT。在一实施例中，可收集超过200个晶片 的WAT数据。在一实施例中，步骤104 ^皮省略。方法100随后进行到步骤106，在此确定关4建工艺参数。关键 工艺参数与关键晶片测试参数和/或选出的装置参数有关，其分别在 参考步骤104与102描述。换句话说，可进行相关性分析，以确定 影响步骤102中选出的装置参数的关键工艺参数。在一实施例中， 可进行相关性分析，以提取与步骤104的关键晶片测试参数相关的 工艺参数。工艺参数包括与制造工艺有关的设备或计量参数。工艺参数的 值可在制造期间内(例如在生产线)被确定。与工艺参数有关的值 在此祐^见为工艺tt据。工艺参凄t可为主动参ft或纟皮动参H主动参 数包括在制造工艺期间内可容易具体指定的任何制造参数(诸如通 过定义设备的参数)。主动参数的实例包括射频功率、气体流率、 浓度、与处理时间。被动参数包括任何不为制造方法所确定的制造 参数，但为例如依据其它被动和/或主动参数的工艺本身，设备种 类，设备情况，晶片被处理的情况，和/或其它可能的因素。被动参 数的实例包括反射功率、周遭环境、污染程度以及工具本身的温度 和/或压力曲线。为了进行相关性分析，收集包括用于设备参数与计量参数的数 据的工艺数据，以及相应装置性能(如装置参数的数值)和/或WAT 数据。在一实施例中，收集超过200个晶片的工艺数据。在一实施 例中，工艺数据包括错误诊断与分类(FDC )数据。在一实施例中， 收集与 一个或多个工艺参数有关的时序工艺数据(例如与设备参数 有关的数值)。时序工艺数据包括依据均匀时间间隔所收集的 一 串 数据、被处理晶片的数目、和/或可被确定的其它间隔。时序工艺数 据包括预防性保养工艺、设备修理工艺、设备清洁工艺、和/或制造 工艺的其它典型步骤之前与之后的数据。在一实施例中，可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提取工艺参数的方法，包括：　选出一装置参数；　收集工艺数据，其中所述工艺数据包括时序工艺数据，且其中所述工艺数据包括与多个工艺参数有关的数值；　总结所述时序工艺数据；以及　进行一相关性分析，其中所述相关性分析识别 出包含于所述多个工艺参数的一关键工艺参数，其中所述关键工艺参数与选出的装置参数有关，且其中所述相关性分析包括产生用于选出的装置参数的一基因地图。

【技术特征摘要】
US 2008-2-5 12/026,3611. 一种提取工艺参数的方法，包括选出一装置参数；收集工艺数据，其中所述工艺数据包括时序工艺数据，且其中所述工艺数据包括与多个工艺参数有关的数值；总结所述时序工艺数据；以及进行一相关性分析，其中所述相关性分析识别出包含于所述多个工艺参数的一关键工艺参数，其中所述关键工艺参数与选出的装置参数有关，且其中所述相关性分析包括产生用于选出的装置参数的一基因地图。2. 根据权利要求1所述的方法，还包括收集晶片测试数据，其中所述晶片测试数据包括与多个晶片测试参数有关的ft值；并且其中所述相关性分析包括识别出与选出的装置参数有关的所述多个晶片测试参数的一关键晶片测试参数。3. 根据权利要求1所述的方法，其中，总结所述时序工艺数据包括自一最大值、 一最小值、 一标准偏差值、 一平均值、及其组合组成的 一群统计值中确定一统计值。4. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述相关性分析包括将所述多个工艺参数分组，以提供至少一第一群及一第二群。5. 根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一群相对于选出的装置参数的R2值大于所述第一群所包含的任何一个工艺参数的R2值。6. 根据权利要求4所述的方法，其中，将所述多个工艺参数分组包括确定所述多个工艺参数间的一相关性。7. 根据权利要求6所述的方法，其中所述第 一群的所述多个工艺参数间的所述相关性包括至少0.8的R直。8. 根据权利要求4所述的方法，还包括利用 一主要组件转换与 一逐步回归来确定所述第 一群与选出的装置参数的所述相关性。9. 根据权利要求4所述的方法，还包括提供一相关性矩阵给所述第 一群。10. 才艮据权利要求1所述的方法，其中，所述多个工艺参邀:净皮分组成一第三群与 一第四群，且其中所述基因地图包括所述第三群及所述第四群的一分级，其中所述分级提供一相对相关性给选出的装置参数。11. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述基因地图在多个工艺步骤示出所述多个工艺参数与选出的装置参数的相对相关性。...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊贤，柯俊成，左克伟，罗冠腾，汪青蓉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]