【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏电池，特别是涉及一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件。
技术介绍
1、目前，太阳能电池制作工艺，通常采用电镀工艺形成金属栅线，在电镀之前需刻蚀去除电池表面的钝化层。为了增加太阳能电池的太阳能电池的光接触面积，通常将太阳能电池的表面设置金字塔结构。然而，金字塔结构增加了电池制程的难度。
技术实现思路
1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、为了实现上述目的，第一方面，本公开提供了一种太阳能电池，包括：
3、硅基底，硅基底具有相对的第一面和第二面，第一面设有绒面，绒面具有金字塔结构，金字塔结构包括塔体和塔尖；
4、半导体掺杂层，设于第一面，半导体掺杂层覆盖绒面；
5、钝化层，设于半导体掺杂层远离第一面的一侧；
6、第一图形单元，设于钝化层，第一图形单元包括间隔设置的多个第一图形孔，第一图形孔设于金字塔结构的塔体，并暴露出部分半导体掺杂层。
7、可选地，第一图形孔贯...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一图形孔贯穿所述钝化层并延伸到所述半导体掺杂层中，所述第一图形孔的孔深大于所述钝化层的厚度，且小于所述钝化层与所述半导体掺杂层的总厚度。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一图形孔在所述半导体掺杂层中延伸第一深度D，5nm<D<500nm；
4.根据权利要求1-3中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：
5.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
6.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一图形孔贯穿所述钝化层并延伸到所述半导体掺杂层中，所述第一图形孔的孔深大于所述钝化层的厚度，且小于所述钝化层与所述半导体掺杂层的总厚度。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一图形孔在所述半导体掺杂层中延伸第一深度d，5nm<d<500nm；
4.根据权利要求1-3中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：
5.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一图形孔贯穿所述钝化层并延伸到所述半导体掺杂层中，所述第一图形孔...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢明辉，李文琪，张国春，杨洁，郑霈霆，
申请(专利权)人：晶科能源上饶有限公司，
类型：发明
国别省市：
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