一种存储装置、存储设备和电子设备制造方法及图纸

本申请实施例公开了一种存储装置、存储设备和电子设备，涉及存储技术领域，解决了现有技术在优化降低SRAM的功耗时，调节粒度较粗，而且电路设计复杂，成本较高的问题。具体方案为：提供一种存储装置，包括存储阵列、电压调节电路和档位调节电路。存储阵列包括多个第一存储单元和多个第二存储单元，第一存储单元的阻值均大于第二存储单元的阻值，用于确保多个第二存储单元中存储的数据正确读取。档位调节电路用于从多个第一存储单元中获取第一测试数据，并根据第一测试数据选择多个档位输出端中的一个档位输出端输出档位选择信号，电压调节电路用于接收电源电压和档位选择信号，并根据档位选择信号调节电源电压，以向存储阵列输出供电电压。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及存储，尤其涉及一种存储装置、存储设备和电子设备。

技术介绍

1、静态随机存取存储器(static random-access memory，sram)是一种具有静止存取功能的存储器件，只需保持通电，内部存储的数据可以恒常保持，广泛应用于各种电子设备中。由于sram的存储阵列中包括大量的晶体管，以及晶体管中漏电流(leakage power)的不断增大，导致sram的访存功耗较高，如何优化降低sram在不同访存频率下的功耗，成为亟需解决的问题。

2、sram在不同访存频率下，对输入电压的需求不同，现有技术中通过控制器调节多个sram的同一输入电压，从而优化降低该多个sram在不同访存频率下的功耗。但是，现有技术在优化降低sram的功耗时，对输入电压的调节粒度较粗，而且电路设计复杂，成本较高。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种存储装置、存储设备和电子设备，解决了现有技术在优化降低sram的功耗时，对输入电压的调节粒度较粗，而且电路设计复杂，成本较高的问题。p>

2、为达到本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储装置，其特征在于，所述存储装置包括：存储阵列，以及与所述存储阵列耦合的电压调节电路和档位调节电路，所述电压调节电路的选择端与所述档位调节电路的多个档位输出端耦合；

2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，所述多个第一存储单元的阻值相同，且串联耦合；

3.根据权利要求1或2所述的存储装置，其特征在于，所述供电电压包括第一供电电压和第二供电电压，所述电压调节电路包括固定电压输出电路和可调电压输出电路；

4.根据权利要求3所述的存储装置，其特征在于，所述固定电压输出电路包括并联耦合的多个晶体管，所述多个晶体管均用于处于导通状态以输出固定的所...

【技术特征摘要】

1.一种存储装置，其特征在于，所述存储装置包括：存储阵列，以及与所述存储阵列耦合的电压调节电路和档位调节电路，所述电压调节电路的选择端与所述档位调节电路的多个档位输出端耦合；

2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，所述多个第一存储单元的阻值相同，且串联耦合；

3.根据权利要求1或2所述的存储装置，其特征在于，所述供电电压包括第一供电电压和第二供电电压，所述电压调节电路包括固定电压输出电路和可调电压输出电路；

4.根据权利要求3所述的存储装置，其特征在于，所述固定电压输出电路包括并联耦合的多个晶体管，所述多个晶体管均用于处于导通状态以输出固定的所述第一供电电压。

5.根据权利要求3或4所述的存储装置，其特征在于，所述可调电压输出电路包括并联耦合的多个晶体管电路，所述多个晶体管电路中任一个晶体管电路包括并联耦合的至少一个晶体管，且所述多个晶体管电路包括晶体管的数量均不相同；

6.根据权利要求1-5中任一项所述的存储装置，其特征在于，所述档位调节电路包括译码器，所述译码器用于从所述多个第一存储单元中获取第一测试数据，对所述第一测试数据进行译码以生成所述档位选择信号。

7.根据权利要求6所述的存储装置，其特征在于，所述译码器的类型包括2-4译码器、3-8译码器和4-16译码器中的一种。

8.根据权利要求6或7所述的存储装置，其特征在于，所述档位调节电路还包括检测电路，所述检测电路用于从所述多个第一存储单元中获取第一测试...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡江铮，布明恩，程宽，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：