一类适用于多种波长光刻的香豆素类非化学放大型光刻胶及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一系列多波段感光的光刻胶主体材料，即式(I)所示的聚合物。其可以直接旋涂成膜并应用于I‑线、193nm光刻、电子束或极紫外光刻中。本发明专利技术所述聚合物为非化学放大光刻胶，且可通过对聚合单体进行官能化来改变聚合物的吸收波长，从而得到在多波长有响应的光刻胶材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于材料，具体涉及一类满足多种波长光刻的非化学放大型光刻胶及其制备方法和应用。

技术介绍

1、光刻胶材料是一类在可见光、紫外光、极紫外光、电子束或离子束曝光后发生溶解度变化的薄膜材料，经后烘、显影、刻蚀等过程后可实现图案转移。用于半导体器件加工的光刻胶材料中，g-线(436nm)光刻胶能达到的分辨率在0.5μm以上，而i-线(365nm)光刻胶能达到的分辨率在0.3-0.5μm，两者均可用于液晶平板显示等较大面积电子产品的制作。随着曝光波长变得更短，krf(248nm)和arf(193nm)光刻胶能分别达到110nm和65nm的分辨率，193nm浸没式光刻可将分辨率提高至32nm，可用于制作图像传感器、功率ic、逻辑ic等。极紫外(13.5nm)光刻胶可达到32nm及以下的分辨率，主要用来生产7nm、5nm及以下的芯片。电子束光刻胶则主要应用于掩膜板的制作。大规模集成电路的制造过程中有数十道光刻工序，要用到不同类型的光刻胶，需要不同的光刻波长和光刻工艺，工序相对复杂，成本较高。

2、根据光刻胶在被曝光后的反应机理可将光刻胶分为化学放大本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.式(I)所示的聚合物：

2.根据权利要求1所述的聚合物，其特征在于，R选自

3.根据权利要求2所述的聚合物，其特征在于，R1选自氢、羟基、卤素、磺酸钠、氯甲基、溴甲基、甲基、乙酰基、三氟甲基或叔丁基；

4.根据权利要求1-3任一项所述的聚合物，其特征在于，所述聚合物具有如下所示结构：

5.根据权利要求1所述的聚合物，其特征在于，式(I)所示聚合物的重均分子量为5000-100000道尔顿。

6.根据权利要求1-3任一项所述的聚合物，其特征在于，x，y的摩尔比为(0.1-6):(0-1)。

7.权利要求1-6任一项...

【技术特征摘要】

1.式(i)所示的聚合物：

2.根据权利要求1所述的聚合物，其特征在于，r选自

3.根据权利要求2所述的聚合物，其特征在于，r1选自氢、羟基、卤素、磺酸钠、氯甲基、溴甲基、甲基、乙酰基、三氟甲基或叔丁基；

4.根据权利要求1-3任一项所述的聚合物，其特征在于，所述聚合物具有如下所示结构：

5.根据权利要求1所述的聚合物，其特征在于，式(i)所示聚合物的重均分子量为5000-100000道尔顿。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：李嫕，安惠雯，陈金平，于天君，曾毅，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：