单层TMDC二维材料及其制备方法技术

本申请公开了一种单层TMDC二维材料及其制备方法，制备方法包括在衬底表面形成薄层TMDC材料，得到预处理样品；将预处理样品放置在超高真空环境中，导入飞秒激光辐射预处理样品以使薄层TMDC材料解离，得到单层TMDC二维材料。本申请利用飞秒激光对薄层TMDC材料进行解离，能够制备高质量单层TMDC二维材料；在飞秒激光辐射时，采用荧光显微镜和拉曼光谱仪实时监测，能够保证制备的单层TMDC二维材料的质量；在飞秒激光辐射过程中，可基于荧光显微镜和拉曼光谱仪的实时检测结果，调节发射飞秒激光的飞秒激光解离模块的功率和时域分布，有助于精准地控制TMDC材料的解离过程，保证单层TMDC材料的质量；在超高真空环境下进行飞秒激光辐射，能有效避免空气的吸附。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于二维半导体材料，具体涉及一种单层tmdc二维材料及其制备方法。

技术介绍

1、由于过渡金属硫化物(transition-metalsulfdes,tmdc)在光、电、热和力学性能上出色的表现以及在二维纳米半导体器件方面巨大的应用前景，使得国内外在不断的寻找能够制备大面积高质量单层tmdc的方法。目前制备生长过渡金属硫化物过程主要分为机械剥离法和化学气相沉积(cvd)法。其中，机械剥离法能制备出高质量的样品，但制备得到的样品尺寸和数量是一种不可控的因素，且样品表面容易吸附空气。使用化学气相沉积的方法能获得大批量、大尺寸的单层tmdc，但缺点是制备出来的样品质量低，存在杂质和缺陷。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种单层tmdc二维材料的制备方法，以解决现有技术中存在的现有制备方法中机械剥离法制备得到的样品尺寸和数量是一种不可控的因素，且样品表面容易吸附空气；cvd法制备出来的样品质量低，存在杂质和缺陷的技术问题。

2、为实现上述目的，本申请采用的一个技术方案是：

3、提本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单层TMDC二维材料的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底表面形成薄层TMDC材料，得到预处理样品的步骤包括：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述将所述样品胶带平整贴合在衬底上，加热后冷却并取下所述样品胶带的步骤中，所述加热具体为将所述衬底在90℃下加热2min。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述由所述多个衬底中选择表面形成有薄层TMDC材料的衬底，作为预处理样品的步骤包括：

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底表面形成薄层TMD...

【技术特征摘要】

1.一种单层tmdc二维材料的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底表面形成薄层tmdc材料，得到预处理样品的步骤包括：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述将所述样品胶带平整贴合在衬底上，加热后冷却并取下所述样品胶带的步骤中，所述加热具体为将所述衬底在90℃下加热2min。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述由所述多个衬底中选择表面形成有薄层tmdc材料的衬底，作为预处理样品的步骤包括：

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底表面形成薄层tmdc材料的步骤之前还包括：

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述导入飞秒激光辐...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛啸天，黄增立，许蕾蕾，张青，王荣新，张珽，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：